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公开(公告)号：CN113488573A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110625944.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法。本发明利用傅里叶变换理论设计，非晶光子结构能够精准的与相关波长的光子作用，有效提高大于全反射角的光的透射，相比光子晶体结构，非晶光子结构对出光效率的提升更高，对白光LED的出光效率增加显著；采用AAO模板制备非晶光子结构，工艺简单，成本低廉；通过改变电解液类型、电解电压、温度和扩孔时间等，能够获得具有无周期性的有不同平均孔间距和孔直径的满足非晶光子结构特征的孔阵列，以便和LED芯片的发光波长匹配；同时利用压印，刻蚀工艺制备得到正版和反版的AAO硬模板；本发明工艺简单可行，转移成本低。
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公开(公告)号：CN111443073B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN111326641B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010127541.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/13 , H05B33/02
Abstract: 本发明公开了一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法。本发明采用紫光与天蓝光混合得到蓝光的视觉效果，同时消除蓝光成分，有效地降低白光发光二极管的蓝光危害，减少其对人眼视网膜的损伤，提高光生物安全性；在CIE1931色品图上三顶点附近获得绿光、红光的可能区域，同时增加黄光的成分，以得到混合光源较高的显色性；利用本发明，在降低蓝光危害的同时，白光光源具有良好的显色性，能够提供更好的视觉舒适度；能够得到色温可调的动态白光，从而不同的色温对应不同的适应范围；本发明具有低蓝光危害、高显色性、色温可调等优点。
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公开(公告)号：CN111443073A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN109920887A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179543.7
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904285A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910179765.9
申请日：2019-03-11
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN104651904A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048337.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。
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公开(公告)号：CN102082216A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199405.1
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。
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公开(公告)号：CN101976713A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010278595.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。采用本发明可有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变，从而有效提高光电子器件的效率。
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公开(公告)号：CN101732804A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226941.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪，包括眼镜式模框、贴片发光二极管模块和电源，还包括装配在所述眼镜式模框中的导光板，所述的导光板位于所述贴片发光二极管模块的出光面下方，以把发光二极管的输出光均匀散开而减弱轴向光强。本发明还公开了一种昼夜节律紊乱治疗仪的制作方法。本发明通过导光板技术对贴片发光二极管的轴向光强进行减弱，以保证照射治疗中视网膜的安全性，具有便携、安全的优点。
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