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公开(公告)号：CN114964356B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210384332.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提出一种氮化铝膜参数提取方法，涉及材料参数提取技术领域，能够精确提取氮化铝膜的材料系数。根据本发明实施例中的氮化铝膜参数提取方法，包括：基于待测氮化铝膜制作参数提取组件；测量参数提取组件的阻抗谱，并根据阻抗谱计算得到参数提取组件中待测氮化铝膜的介电常数；测量参数提取组件的属性参量，并根据属性参量计算得出待测氮化铝膜的压电系数与弹性系数；将待测氮化铝膜的介电常数、压电系数与弹性系数进行整合，得到待测氮化铝膜的材料参数。在本发明实施例中的方法中，由于对氮化铝膜各类材料系数进行分开提取，从而能够减少积累误差，提高提取精度。
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公开(公告)号：CN111293210B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811491104.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、超声波传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，超声波传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN114038909A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111235786.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L27/085 , H01L21/8252 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaN HEMT和低压增强型GaN HEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替Si MOSFET，从而可以在器件上同时实现HV GaN MIS‑HEMT和LV GaN MIS‑FET，采用D‑mode高压GaN MIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaN FET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN109990814B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910257904.5
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D5/48
Abstract: 一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器，其主要包括基座和压电晶片，其中压电晶片通过一个或多个连接件悬空设置在所述基座上，所述压电晶片用于产生或接收超声波。一方面，由于压电晶片和基座之间采用连接件进行连接，使得压电晶片处于悬空状态，利于减小基座对压电晶片的拉应力束缚，从而减少残余应力的影响；另一方面，由于压电晶片的悬浮结构设计，使得传感器自身能够实现更好的谐振运动，对于边缘的束缚应力更小，压电晶片或压电薄膜的振动位移更大，利于产生高声压的超声波，实现更为准确的识别和探测。
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公开(公告)号：CN112820712A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642597.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。三维异质集成的扇出型封装结构包括：基板上侧设置有凹槽，凹槽用于放置芯片，凹槽底部设置导电柱，导电柱贯穿基板并连接对应的芯片，第一金属互联层连接对应的导电柱，第一固定层设置在基板上侧，第二金属互联层设置在基板下侧，第二金属互联层连接对应的导电柱，第二金属互联层用于使芯片之间电连接，第二固定层设置在基板下侧，微焊结构连接对应的第二金属互联层，微焊结构用于形成封装结构的焊点。通过在同一基板的凹槽中设置芯片，并通过导电柱与金属互联层将对应的芯片之间电性连接，实现了三维的异质集成结构，满足了小尺寸、高密度、低成本的封装需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887898B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910257903.0
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/42
Abstract: 一种基于超声换能器的电子器件散热装置，其包括一个或多个超声换能器，设置于电子器件形成的热源附近，超声换能器用于扰动形成流过热源的声流以对电子器件进行散热。一方面，由于采用超声换能器作为换热介质的动力部件，使得产生的超声波能够扰动换热介质从而形成流过电子器件热源的声流，与传统的风冷、液冷等散热方式相比，具有低功耗、静音、对灰尘不敏感、高可靠性的应用优点；另一方面，由于只需将超声换能器设置于经过热源的介质通道上，再辅助以简单的控制电路就能够正常工作，具有布设便捷、电路简单的特定，可应用于多种环境下的集成电路。
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公开(公告)号：CN111241867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811429713.4
申请日：2018-11-28
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25
Abstract: 一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
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公开(公告)号：CN106782666B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201510831373.8
申请日：2015-11-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种三维堆叠存储器，包括多层存储器，每层存储器包括：由存储单元排布成的存储阵列，用于存储数据；备用存储单元，用于作为冗余资源替换故障存储单元；内建自测试模块，用于对存储器进行测试，并标定存储阵列中故障存储单元的位置；冗余资源替换模块，用于使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换。因为，冗余资源替换模块使用故障存储单元所属层的备用存储单元及与其相邻层中的备用存储单元按照内建自测试模块标定的故障存储单元的位置对故障存储单元进行替换，所以在较少硅通孔面积的条件下可提高冗余资源的利用率和故障单元修复率。
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公开(公告)号：CN106370958B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610934313.3
申请日：2016-10-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种内嵌微流道的LTCC基板测试方法和装置，该方法包括对LTCC基板样品进行初步检测；对通过初步检测的LTCC基板样品分别进行低温贮存测试、高温贮存测试和高低温循环测试，并对每次测试后的LTCC基板样品进行检测。该方法和装置对内嵌微流道的LTCC基板进行了低温贮存、高温贮存、温度循环等系列环境科目测试，检测内嵌微流道LTCC基板的质量无损和结构完整性，得出其在地面模拟使用环境中是否可靠的定性结论。
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公开(公告)号：CN107917750A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610878685.9
申请日：2016-10-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01H5/00
Abstract: 本发明(一种MEMS热式声粒子传感器)涉及微电子机械加工领域，尤其涉及一种MEMS热式声粒子传感器的设计方法。目前已有的MEMS热式声粒子传感器都是基于两线式流量计原理，自噪声较大，且高频特性较差。为解决这种问题，本发明提供了一种MEMS三线式热式声粒子传感器结构，可应用于声源定位。该传感器为三层悬臂梁结构，由上下极板粘接而成，包括左右两个正交平面的测量单元。每个测量单元上下两层各有两根感温电阻悬臂梁，中层有一根来自上极板或下极板的加热电阻悬臂梁。上下层的四根悬臂梁组成矩形，中层的悬臂梁位于矩形中心。加工步骤包括：每个测量单元的上下极板的正、反两面各制作三根悬臂梁，去掉上下极板中多余的悬臂梁，将上下极板粘接在一起。
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