公开(公告)号：CN117789848A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410210612.7

申请日：2024-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 孙卫玲 ,  刘一 ,  刘文 ,  王婷 ,  赵华章

IPC: G16C20/20 ,  G01N30/72 ,  G01N30/86 ,  G16C20/40 ,  G16C20/90

Abstract: 本发明公开一种应用特征碎片及特征碎片组辅助非靶向筛查的方法，涉及有机污染物筛查技术领域，该方法包括：获取样品包含的化合物的初步鉴定结果；初步鉴定结果是应用气相色谱高分辨质谱对样品进行扫描，将解卷积之后的峰与NIST谱库匹配以后得到的；从初步鉴定结果中选择满足预设匹配条件且含有特征碎片或特征碎片组的化合物，得到多个初始化合物；特征碎片和特征碎片组是联合使用化学信息数据库和NIST谱库从目标大类化合物提取的；从多个初始化合物中选取综合得分最高的初始化合物作为样品的筛查结果。本发明能够提高非靶向筛查结果的准确度。

公开(公告)号：CN117317167A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311261344.3

申请日：2023-09-27

Applicant: 北京泰丰先行新能源科技有限公司 ,  北京大学 ,  中国人民解放军军事科学院防化研究院

Inventor： 张淑萍 ,  吴剑扬 ,  刘文 ,  周恒辉 ,  申兰耀 ,  邱景义 ,  任献举 ,  杨新河

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开一种高能量密度的锂离子电池正极材料及其制备方法，属于电池技术领域。该锂离子电池正极材料通过含磷化合物和表面造孔剂吸附或螯合在锂离子电池层状正极材料表面，高温作用下在材料表面原位同步生成和层状基体材料具有点阵相干结构的界面层及弹性快离子导体层。和层状基体材料具有点阵相干结构的界面层一方面提供锂离子传输通道，另一方面和层状基体材料晶格匹配，有效提高材料在充放电过程中的结构相变可逆性；多孔弹性快离子导体层不但在基体材料晶格膨胀和收缩的过程中起到柔性限制，提高层状材料结构稳定性，还可加快锂离子的扩散，提高层状正极材料在高电压下的容量和电压平台，从而提高层其能量密度。

公开(公告)号：CN115608322A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211413780.3

申请日：2022-11-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  李璠 ,  孙丰宾 ,  陈龙 ,  张惠璇 ,  李沛珅

IPC: B01J20/20 ,  B01J20/30 ,  C02F1/28 ,  C02F101/30 ,  C02F101/20

Abstract: 本发明公开了一种用于协同去除水中新兴有机污染物与重金属的可再生吸附剂的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明中的复合材料为一系列金属有机骨架材料衍生的多孔道碳材料和纳米钛酸盐材料的均相复合物，经水热法合成，并可在此基础上掺杂其他金属。复合材料应用于水中重金属和新有机物的协同去除，吸附动力学过程快、吸附量大、协同吸附加成效果显著。吸附重金属饱和后可通过酸碱再生重复使用；吸附新有机污染物饱和后，可通过光再生后重复使用。本发明采用的原材料价格低廉，方法简便易行，应用过程清洁无污染，适用于大规模的饮用水、生活污水、工业废水、垃圾渗滤液处理以及地下水修复和自然水体污染应急处理。

公开(公告)号：CN103895343B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201210574611.8

申请日：2012-12-26

Applicant: 北京大学 ,  方正国际软件(北京)有限公司

Inventor： 李平立 ,  黎庆华 ,  张宏志 ,  邓玥琳 ,  刘文

IPC: B41F33/00

Abstract: 本发明公开了一种印刷物质量检查方法及系统，属于印刷技术领域。本发明先根据待检查原稿将要交付印刷的各种生产条件，确定误差系数；所述误差系数能够反眏出印刷过程中各种影响印刷效果的误差因素；然后根据所述误差系数反映印刷生产条件对印刷效果的影响，按照模拟印刷生产过程的图像生成途径生成经历误差事件后的模拟图像；最后将所述模拟图像与所述原稿进行对比，分析发生衰减甚至丢失图形或者图像元素的情况，据此给出检查结果。本发明通过模拟印刷生产过程来生成与印刷成品一致的图像，据此与原稿对比，显然具有直观性好和准确性高的优点。

公开(公告)号：CN102194869B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201010128023.2

申请日：2010-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄德涛 ,  刘文 ,  王思浩 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1018cm-3，重掺杂区的上界面距离沟道表面30～40纳米，下界面在源漏PN结上下20纳米的区域内。本发明通过优化超陡倒掺杂器件的参数，在器件的短沟道特性满足常规应用的情况下增强了器件的抗总剂量辐照性能，这对于提高应用于空间环境中的集成电路芯片的可靠性和寿命具有重要意义。

公开(公告)号：CN101661938B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200910092744.X

申请日：2009-09-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，PMOS和PMOS之间的沟槽用隔离材料一填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，NMOS和NMOS之间用隔离材料二填充，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷。此外，NMOS和PMOS之间的沟槽用所述隔离材料一和所述隔离材料二填充，其中所述隔离材料一靠近PMOS，所述隔离材料二靠近NMOS；或者NMOS和PMOS之间通过两个相邻的沟槽隔离，和PMOS相邻的沟槽用所述隔离材料一填充，和NMOS相邻的沟槽用所述隔离材料二填充。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。

公开(公告)号：CN101667577A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910093412.3

申请日：2009-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄如

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/762 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，沟槽填充材料和衬底材料之间存在一高介电常数的界面材料。所述界面材料的介电常数优选大于3.9。所述界面材料可选自氧化镍、氧化锆、氧化铅、氧化铝、氧化氮、氧化澜、氧化铪、和氧化钽中的一种或多种。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。