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公开(公告)号：CN101611474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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公开(公告)号：CN102234193B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC: C04B35/26
CPC classification number: C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102373032B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110226208.1
申请日：2011-08-09
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: C09K3/00
CPC classification number: B32B7/02 , B32B2307/734 , C01G53/40 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/0058 , H05K2201/068 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有负的热膨胀性质的热膨胀抑制部件和具有小的热膨胀的金属基抗热膨胀性部件。更具体地，本发明提供热膨胀抑制部件，其至少包括由以下通式(1)表示的氧化物，和抗热膨胀性部件，其包括在20℃下具有正的线膨胀系数的金属和至少包括由以下通式(1)表示的氧化物的固体，该金属与该固体彼此接合：(Bi1-xMx)NiO3(1)其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN102399443B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
Abstract: 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3？(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN102399443A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
Abstract: 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN102234193A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC: C04B35/26 , C04B35/626 , H02N2/00 , H01L41/187 , B41J2/045
CPC classification number: C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
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公开(公告)号：CN101611474A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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