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公开(公告)号：CN102234193B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC分类号： C04B35/26
CPC分类号： C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
摘要： 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
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公开(公告)号：CN102234193A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/626 , H02N2/00 , H01L41/187 , B41J2/045
CPC分类号： C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
摘要： 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
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公开(公告)号：CN101809747B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的显示装置。一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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公开(公告)号：CN101884110B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200880118787.4
申请日：2008-11-27
申请人： 佳能株式会社
发明人： 岛田干夫
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618
摘要： 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，该晶体管包含：基板上的栅电极、栅绝缘层、包含非晶氧化物的半导体层、源漏电极、以及保护层。所述半导体层包含与形成有所述源漏电极的区域相对应的第一区域和不与形成有所述源漏电极的区域相对应的第二区域。至少所述第一区域包含组分与第二区域中的非晶氧化物的组分不同的结晶成分。
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公开(公告)号：CN103283051A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180064223.9
申请日：2011-12-22
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： H01L41/1871 , B08B7/028 , B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 提供具有更高的压电常数的压电元件，并且还提供分别使用以上的压电元件的液体排出头、超声马达和灰尘去除装置。压电元件至少包含一对电极和被设置为与所述一对电极接触的压电材料，压电材料由以钛酸钡以主要成分的晶粒的集合体形成，并且，在集合体的晶粒之中，至少与电极接触的晶粒在粒内具有位错层。液体排出头、超声马达和灰尘去除装置分别使用以上的压电元件。
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公开(公告)号：CN101809747A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
摘要： 一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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公开(公告)号：CN104205388B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380016696.0
申请日：2013-03-26
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： C04B35/49 , B08B7/028 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , G02B7/021 , G02B7/022 , G02B7/023 , G02B27/0006 , G03B3/10 , G03B2205/0061 , G03B2205/0084 , H01L41/0471 , H01L41/083 , H01L41/1871 , H02N2/001 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 提供了一种无铅压电陶瓷，其具有增强的机械品质因数(Qm)和机械强度。这种压电陶瓷包括至少第一晶粒和第二晶粒。第一晶粒的平均等效圆直径为2μm以上和30μm以下。第一晶粒包括作为主要组分的由以下通式(1)表示的钙钛矿型金属氧化物，第二晶粒包括作为主要组分的由以下通式(2)表示的钙钛矿型金属氧化物：(1)xBaTiO3－yCaTiO3－zCaZrO3；和(2)x'BaTiO3－y'CaTiO3－z'CaZrO3，规定，x、y、z、x'、y'和z'满足x+y+z＝1，x'+y'+z'＝1，0≤x'≤0.15，0.85≤y'≤1，0≤z'≤0.05，x＞x'，0＜y＜y'，和z＞0。
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公开(公告)号：CN103283051B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180064223.9
申请日：2011-12-22
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： H01L41/1871 , B08B7/028 , B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 提供具有更高的压电常数的压电元件，并且还提供分别使用以上的压电元件的液体排出头、超声马达和灰尘去除装置。压电元件至少包含一对电极和被设置为与所述一对电极接触的压电材料，压电材料由以钛酸钡以主要成分的晶粒的集合体形成，并且，在集合体的晶粒之中，至少与电极接触的晶粒在粒内具有位错层。液体排出头、超声马达和灰尘去除装置分别使用以上的压电元件。
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公开(公告)号：CN101849306A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880115010.2
申请日：2008-09-08
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01M4/134 , H01G11/24 , H01G11/46 , H01G11/50 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/0525 , Y02E60/13 , Y10T428/259 , Y10T428/2927
摘要： 提供能电化学储存和释放大量锂离子的材料的制备方法。能电化学储存和释放大量锂离子的储能器件的负极用电极材料，其特征在于：由每个具有5nm～200nm直径和具有1nm～10nm厚度的无定形表面层的晶体颗粒组成硅或锡初级粒子，其中每个初级粒子的该无定形表面层至少由金属氧化物组成。由金属的氧化生成所述金属氧化物时的吉布斯自由能小于将硅或锡氧化时的吉布斯自由能；以及所述金属氧化物具有高于硅氧化物或锡氧化物的热力学稳定性。能电化学储存和释放大量锂离子的储能器件的负极用电极材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤中的任一个：(i)使硅或锡与金属氧化物反应的步骤，(ii)使硅氧化物或锡氧化物与金属反应的步骤，(iii)使硅化合物或锡化合物与金属化合物反应的步骤。
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公开(公告)号：CN103261119B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180060904.8
申请日：2011-12-15
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01L41/187 , C04B35/468
CPC分类号： H01L41/43 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3222 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/85 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 本发明提供具有令人满意的压电性能和令人满意的机械品质因数（Qm）的钛酸钡基压电陶瓷和使用其的压电元件。具体地，提供压电陶瓷，包括：晶体颗粒；和晶体颗粒之间的晶界，其中晶体颗粒均包含具有钙钛矿型结构的钛酸钡和相对于钛酸钡、以金属计为0.04质量%-0.20质量%的锰，和晶界包含从Ba4Ti12O27和Ba6Ti17O40中选择的至少一种化合物，和使用其的压电元件。
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