公开(公告)号：CN106133913A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015955.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  浜田公守 ,  添野明高 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。

公开(公告)号：CN105633162A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510811532.8

申请日：2015-11-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  朽木克博 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66492

Abstract: 本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。

公开(公告)号：CN109427906A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810952249.0

申请日：2018-08-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浦上泰 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板、上表面电极、下表面电极及经由栅极绝缘膜而设于沟槽内的栅电极。半导体基板具有与上表面电极接触的P型体层、介于体层与下表面电极之间的n型漂移层、沿着沟槽的底面设置的p型浮置区及沿着沟槽的侧面在体层与浮置区之间延伸的p型连接区。沟槽沿着俯视时的长边方向具有未设置连接区的第一区间及设置有连接区的第二区间。而且，第二区间中的沟槽的侧面的倾倒角度比第一区间中的沟槽的侧面的倾倒角度大。

公开(公告)号：CN101401212A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008242.3

申请日：2007-01-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  浜田公守 ,  宫城恭辅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

Abstract: 一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P－主体区域(41)和N－漂移区域(12)。形成通过P－主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P－扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P－主体区域(41)和P扩散区域(51)。P－扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P－扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。

公开(公告)号：CN105981173B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN102856382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210226273.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中，多个沟槽（7）具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽（7）均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面中的一个平面成第一锐角，所述第二侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面的所述一个平面成第二锐角，并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区（5）仅与每个所述沟槽（7）的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触，并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。

公开(公告)号：CN100477267C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580036986.7

申请日：2005-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  宫城恭辅 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。

公开(公告)号：CN116964753A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202180095363.6

申请日：2021-10-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高谷秀史

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种场效应晶体管(10)，其具有多个p型深层(36)。所述p型深层从体层(34)向下侧突出，以在从上侧观察半导体基板(12)时与沟槽(14)交叉的方式延伸，且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的侧面及底面与栅极绝缘膜(16)相接。所述各p型深层具有低浓度区域(36a)和高浓度区域(36b)。所述各低浓度区域从下侧与所述体层相接，且在位于所述体层的下侧的所述沟槽的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接。各高浓度区域从下侧与对应的所述低浓度区域相接。

公开(公告)号：CN112262478B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201980020140.6

申请日：2019-03-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 海老原康裕 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。使JFET部(2a)为高浓度，并且由配置于其两侧的第二导电型区域(3、5、6、8、61)夹着JFET部而形成窄幅的结构。而且，以在成为了比正常动作时的漏极电压Vd稍高的电压时JFET部被夹断的方式，设定JFET部的宽度与JFET部及第二导电型区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN103460388B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280016150.0

申请日：2012-09-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区