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公开(公告)号：CN102437017A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110297803.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102398893A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110297805.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN101311105B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810033916.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN102288644A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110191533.9
申请日：2011-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有四支撑悬梁四层结构的电阻式气体传感器及制作方法，传感器的结构包括：衬底框架，隔热腔体，加热膜区，支撑悬梁，加热电阻丝，供电引线，供电电极，叉指电极，探测引线，探测电极，和敏感膜。其结构特征为：位于隔热腔体上方的加热膜区通过四根支撑悬梁与衬底框架相连；加热电阻丝以折线的形式排布在加热膜区上，并通过供电引线与衬底框架上的供电电极相连；叉指电极排布在加热电阻丝的间隙，并通过探测引线与探测电极相连；敏感膜位于加热膜区上，覆盖整个加热电阻丝和叉指电极并和叉指电极有良好的电联接。
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公开(公告)号：CN102212794A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110092763.X
申请日：2011-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122935A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110059554.5
申请日：2011-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有亚微米间隙的微机械谐振器及制作方法，其特征在于谐振器是由盖板硅片、结构硅片和衬底硅片三层硅片键合组成的“三明治”结构。结构硅片用来制作谐振器的振子，盖板硅片和衬底硅片分别用来制作驱动和检测的固定电极。谐振器振子与固定电极间的亚微米间隙是通过圆片级对准键合工艺形成的，间隙大小不受光刻工艺限制，而是由盖板硅片或者衬底硅片上的电绝缘介质层的厚度决定的。本发明提出的微机械谐振器的制作方法，利用圆片级对准键合形成亚微米间隙，在制作完器件结构的同时实现了对器件的真空密封，不但降低了器件设计和制作的难度，提升了器件性能和成品率，而且减小了器件尺寸，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101844740A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010189314.2
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于金硅共晶的低温键合的方法，包括上基板的制备、下基板的制备以及上、下基板对准键合，其特征在于以金和硅为键合材料，通过加温加压的方式实现了键合。由于Au不易氧化，所以键合界面没有金属氧化层阻碍键合反应。当键合温度大于Au/Si的共晶温度时，反应中会形成液态的AuSi合金，液态的合金不仅会增强硅和金的扩散，还可以消除键合表面粗糙度的影响。同时，非晶硅或多晶硅表面沉积了一层Ti/Au层，其中Ti金属层用于除去硅表面的自然氧化层，使Au/Si反应在键合区域的各个点都发生。更重要的是，该键合方法不仅可以用于硅材料的键合，还可以用于非硅材料的键合。
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公开(公告)号：CN101062761B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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公开(公告)号：CN101806929A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010125510.3
申请日：2010-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种数字式微流控变焦透镜及其制作方法。所述的数字式微流控变焦透镜中流体透镜和液压执行器单元是在基底和盖板之间充满流体的腔体，且两者腔体内流体相互连通。液压执行器单元是由若干个可独立控制的、容积相同或不同的腔体组成，工作状态下液压执行器单元腔体内流体输出量满足二进制变化。在公共电极和控制电极之间施加电压时，对应的液压执行器单元盖板会产生变形或移动，挤压执行器单元腔体内一部分流体进入透镜腔体内，使得流体透镜的透明盖板变形，从而改变透镜的焦距。选通不同的液压执行器单元腔体，能挤压不同容积的流体进入透镜腔体内，使透镜盖板产生不同程度的变形，实现透镜焦距的变化。
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公开(公告)号：CN101226850B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810032861.2
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及硅微机械压力开关、制作方法及其应用。其特征在于所述的压力开关包括上下两个电极，两电极间有二氧化硅作为绝缘层进行隔离，上电极包括空气腔，硅弹性薄膜，节流孔，框架；下电极包括导流孔。其特征在于湿法腐蚀硅可同时形成空气腔和硅弹性薄膜；所有结构都由硅材料构成，便于实现和制动电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成节流孔和框架，能精确控制节流孔的尺寸。将所述的压力开关安装在每一个轮胎中，当轮胎爆胎后，该开关能迅速闭合，从而接通轮胎制动装置电路，使轮胎快速制动。
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