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公开(公告)号：CN116313212A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310283475.5
申请日：2023-03-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G21K1/06 , B26F1/31 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/30
摘要： 本公开提出了一种X射线膜型波带片的制备方法，包括：在圆柱状的中心衬底的表面使用原子层沉积技术和分子层沉积技术在中心衬底的表面交替沉积第一薄膜材料和第二薄膜材料，形成厚度逐层递减的薄膜环带；使用聚焦离子束切割法对环带进行切割抛光，得到X射线膜型波带片；其中，第一薄膜材料包括明环薄膜材料，第二薄膜材料包括暗环薄膜材料，第一薄膜材料还包括明环掺杂材料和/或第二薄膜材料还包括暗环掺杂材料。本公开还提出了一种X射线膜型波带片结构，包括中心衬底、薄膜环带。
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公开(公告)号：CN116288738A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310270065.7
申请日：2023-03-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明公开了一种制作大面积有机单晶阵列的装置，涉及半导体技术领域，装置包括：腔体，腔体具有一腔内空间；置样组件设于腔内空间预设高度；观样组件穿过腔体的第一预设位置设于置样组件的一侧；计算机控制组件和观样组件以及置样组件连接；真空度控制组件和腔体连通；电源控制组件，电源控制组件与置样组件电连接；通过计算机控制组件观察观样组件的样品状态，以及控制置样组件；通过真空度控制组件控制腔内空间的真空度；通过电源控制组件为置样组件提供电能。本发明解决了现有技术中存在通过有机半导体制备工艺所获有机半导体单晶阵列的均匀性较差的技术问题，达到了提高有机半导体单晶阵列制备均匀性的技术效果。
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公开(公告)号：CN116262970A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111531697.1
申请日：2021-12-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/30
摘要： 本发明公开了一种ALD‑CVD两步法生长二碲化钨薄膜的方法，其中，所述方法包括：用无水乙醇超声清洗蓝宝石衬底，氮气吹干；以六氟化钨和乙硅烷作为前驱体，在所述蓝宝石衬底上采用原子层沉积法生长钨薄膜；切割并用无水乙醇超声清洗长有钨膜的所述蓝宝石衬底，烘干；以钨粉为原料，采用化学气相沉积法对所述钨膜进行碲化，完成二碲化钨薄膜的生长。解决了现有技术中在制备钨薄膜过程中，无法准确控制制备厚度的技术问题。
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公开(公告)号：CN112899646B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911137327.2
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种基于乙酰丙酮银制备Ag2S薄膜的方法，通过将硅衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空；将乙酰丙酮银与硫粉分别装入原子层沉积设备的固态源加热源瓶内，分别加热所述固态源加热源瓶至第一温度与第二温度，获得乙酰丙酮银蒸汽和硫粉蒸汽；根据第一脉冲时间将乙酰丙酮银蒸汽通入所述反应腔室，用氮气以第一清洗时间清洗所述反应腔室；根据第二脉冲时间将硫粉蒸汽通入所述反应腔室，用所述氮气以第二清洗时间清洗所述反应腔室；所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得第一厚度的硫化银薄膜。达到了硫化银薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，能够适合大规模生产的技术效果。
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公开(公告)号：CN113699505B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010431946.9
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113772620A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010525014.0
申请日：2020-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开了一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法，通过制备图案化硅柱以及镀铜膜的硅片；对所述图案化硅柱侧壁化学修饰，使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲水状态；退浸润过程发生，毛细液桥自组织装使图案化微纳阵列结构生长在铜膜上；利用化学反应去除所述铜膜，将图案转移到柔性衬底上，获得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案化阵列高质量且长程有序，并且这种转移方法操作简单，在柔性衬底上具有优异的拉伸形变，为可穿戴领域的发展提供了新的应用前景。
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公开(公告)号：CN113699506A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010432624.6
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN112899655A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911137333.8
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了一种薄膜材料结晶的装置和方法，通过腔室；第一管路，所述第一管路与所述腔室的一端连通，且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室；第二管路，所述第二管路与所述腔室的一端连通，且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室；马弗炉，所述马弗炉采用包裹管式腔体，且所述马弗炉包裹在所述腔室的外侧；抽真空管路，所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。解决现有技术中原子层沉积设备腔室为金属且腔体较大，对于腔室的升温和降温速度非常缓慢，不适宜活性较低的原子层沉积前驱体的技术问题，达到了维持衬底温度的恒定，保持腔室温度的均匀，实现了拓宽原子层沉积前驱体的选择，提高所沉积薄膜的结晶性的技术效果。
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公开(公告)号：CN112551516A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910912398.9
申请日：2019-09-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 本发明公开了一种用于湿法转移石墨烯薄膜的装置和方法，通过水槽；目标衬底载台，所述目标衬底载台设置在所述水槽内，所述目标衬底载台与所述水槽的底部平行，且所述目标衬底载台与所述水槽的底部具有预定距离，其中，所述目标衬底载台具有通孔；目标衬底，所述目标衬底设置在所述目标衬底载台的上表面；液体流入管，所述液体流入管设置在所述水槽的侧壁下部，且所述液体流入管设置在所述目标衬底载台的下方；液体流出管，所述液体流出管在所述液体流入管的下方，实现大面积转移金属基底的石墨烯，确保石墨烯与目标衬底有较好的接触，降低石墨烯薄膜在转移过程中的破裂，提高转移石墨烯的质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN107400920B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610338812.6
申请日：2016-05-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法，属于半导体技术领域，本发明实施例通过将清洗好的衬底放入反应腔室中；开启罗茨泵和前级泵，并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热，在加热的过程中吹载气；当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时，关闭载气，并开启分子泵；当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时，关闭所述分子泵，并打开载气；当所述样品盘温度在第一温度范围内变化，且，所述载气通道和所述腔室壁在第二温度范围内变化时，开始后续沉积工艺的技术手段，实现了较好制备单晶氧化锌薄膜的技术效果。
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