发明公开
- 专利标题: 一种薄膜材料结晶的装置和方法
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申请号: CN201911137333.8申请日: 2019-11-19
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公开(公告)号: CN112899655A公开(公告)日: 2021-06-04
- 发明人: 明帅强 , 卢维尔 , 夏洋 , 何萌 , 冷兴龙 , 李楠 , 赵丽莉
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/54 ; C23C16/46
摘要:
本发明公开了一种薄膜材料结晶的装置和方法,通过腔室;第一管路,所述第一管路与所述腔室的一端连通,且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室;第二管路,所述第二管路与所述腔室的一端连通,且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室;马弗炉,所述马弗炉采用包裹管式腔体,且所述马弗炉包裹在所述腔室的外侧;抽真空管路,所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。解决现有技术中原子层沉积设备腔室为金属且腔体较大,对于腔室的升温和降温速度非常缓慢,不适宜活性较低的原子层沉积前驱体的技术问题,达到了维持衬底温度的恒定,保持腔室温度的均匀,实现了拓宽原子层沉积前驱体的选择,提高所沉积薄膜的结晶性的技术效果。
IPC分类: