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公开(公告)号：CN110590361B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910892048.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种复合相荧光陶瓷以及制备方法和应用。该复合相荧光陶瓷包括块状的陶瓷基体和分布在陶瓷基体中的第二相；陶瓷基体选自具有式Ⅰ所示化学式的物质中的任一种；R3‑x1Cex1AlyGa5‑yO12式Ⅰ；第二相选自具有式Ⅱ所示化学式的物质中的任一种；Ca2Ce2‑x2Al2SiO7式Ⅱ。本申请提供的复合相荧光陶瓷有效解决当前白光LED发展中遇到的由于含有机成分的封装材料老化着色引起的光衰、光谱稳定性不够理想，荧光粉的发光效率随着LED温度的升高而下降等问题。
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公开(公告)号：CN113684029A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010420832.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种近红外荧光粉、制备方法及应用，所述荧光粉选自具有式Ⅰ所示化学通式的物质中的至少一种。该近红外荧光粉可被蓝光有效激发，发射效率极高；基于蓝光LED芯片，可以获得辐射功率极高的近红外宽带LED光源；所述近红外荧光粉的制备方法具有成本低、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN112694070A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911014618.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种复合热电材料及其制备方法。该复合热电材料包括基体和分散在所述基体中的纳米颗粒，所述基体为铋锑碲热电材料，所述纳米颗粒为碲化亚铜、硒化亚铜纳米颗粒，该材料最高ZT值超过1.0，在400‑500K左右平均ZT值达到0.9，与传统区熔铋锑碲材料(ZT≈0.5@400‑500K)相比，其ZT在高温端处有了明显的提升，大幅度提高在低温环境余废热的回收利用率。本发明的制备方法简单可行，效果明确，易放大化用于工业生产，为推广热电材料应用开辟一条新的道路。
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公开(公告)号：CN111710775A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010710025.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种硒化锡基热电材料，包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种，其中，元素A选自Ag；元素M选自Sb、Bi中的至少一种；元素N选自Se、Te中的至少一种；x的取值范围为：0.15＜x＜0.5。本申请通过固相合成工艺，成功制备了高性能立方相硒化锡块体材料，对热电研究和应用具有重要作用。
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公开(公告)号：CN111477736A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910067590.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法。本申请的碲化铋基热电材料，包括具有式Ⅰ所示化学式的化合物中至少一种，其中，M选自Ge、Mn、Cu中的至少一种；x的取值范围为：0.001≤x≤0.2；z的取值范围为：0.1≤z≤1。本申请的碲化铋基热电材料，制备工艺简单，仅需Ge、M、Cu元素掺杂即可提高机械性能，重复性较好，最终获得的热电性能也较为良好，可以很好地满足工厂生产高精密热电元器件的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111302802A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811511416.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/505 , C04B35/50 , C04B35/622 , C09K11/79 , C09K11/80
Abstract: 本发明涉及一种上转换发光陶瓷及其制备方法。具体地，本发明公开了一种通式为mA·(1-x-y-z)Ln2O3·MO2·xPr·yBi·zRe的上转换发光陶瓷，其中，A、Ln、M、Re、m、x、y、z的定义如说明书中所述，所述发光陶瓷具有使用寿命长、紫外光转换效率高的特点。
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公开(公告)号：CN106887486B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710123876.9
申请日：2017-03-03
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于白光LED器件的条形码结构透明荧光陶瓷，是由两种以上的陶瓷单元构成，每种陶瓷单元经同一种LED芯片激发后发出不同颜色的光，并合成全光谱的白光发射；各种陶瓷单元在水平面交替紧密排列，形成类似条形码的一体结构；经设置在其上方或下方的LED芯片激发后，该具有条形码结构的荧光陶瓷发出白光。该荧光陶瓷具有光谱灵活调节、光转换效率和显色指数高、使用寿命长、热稳定性好的特点，使用该荧光陶瓷的白光LED器件既能实现光能的高效利用，又可保证照明系统的小型紧凑化，因而可有效的弥补现有技术的不足和满足市场商业化要求。
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公开(公告)号：CN106449962B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510478678.5
申请日：2015-08-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种自动化封装流水线，包括自动填充单元、第一热压焊接单元、翻转单元、引线焊接单元、第二热压焊接单元、主传送单元和控制单元，其中，所述自动填充单元、第一热压焊接单元、翻转单元、引线焊接单元和第二热压焊接单元沿着所述主传送带的传送方向依次设置；所述自动填充单元、第一热压焊接单元、翻转单元、引线焊接单元、第二热压焊接单元和主传送单元均在所述控制单元的控制下动作。本发明通过各个单元的相互配合实现了热电材料的自动封装过程，节约了人力成本，大大提高了生产效率和生产质量。
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公开(公告)号：CN109031385A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810588777.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种闪烁体阵列，包括基元载体和多个闪烁体基元，所述多个闪烁体基元呈阵列结构拼接在所述基元载体上；每个所述闪烁体基元包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子，所述基质的材质为陶瓷。该闪烁体阵列由闪烁体基元和基元载体拼接而成，在制备时无需机械切割，简化了制备过程，降低了制备成本；并且，闪烁体基元和基元载体分开制备后进行拼接，无需一起成型，可实现不同材质的闪烁体基元与基元载体的拼接，得到性能更优异的闪烁体阵列。
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公开(公告)号：CN108588841A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810666112.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请提供了一种Ag8SnSe6晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料，以及NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂装入坩埚中，抽真空后密封，有效避免了生长过程中Se挥发，提高了晶体的化学计量比准确性。本发明优选利用高热导率耐热钢作为基座支撑坩埚，可对结晶潜热进行有效传导从而有利于获得高完整性的Ag8SnSe6晶体。另外，本发明优化了晶体生长工艺，依次在850～950℃的高温区完成Ag8SnSe6原料融化并与籽晶接种，在700～850℃的中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成，在450～700℃的低温区完成退火，有利于性能优异的Ag8SnSe6晶体的获得。
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