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公开(公告)号：CN108588841A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810666112.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请提供了一种Ag8SnSe6晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料，以及NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂装入坩埚中，抽真空后密封，有效避免了生长过程中Se挥发，提高了晶体的化学计量比准确性。本发明优选利用高热导率耐热钢作为基座支撑坩埚，可对结晶潜热进行有效传导从而有利于获得高完整性的Ag8SnSe6晶体。另外，本发明优化了晶体生长工艺，依次在850～950℃的高温区完成Ag8SnSe6原料融化并与籽晶接种，在700～850℃的中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成，在450～700℃的低温区完成退火，有利于性能优异的Ag8SnSe6晶体的获得。
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公开(公告)号：CN108588841B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810666112.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请提供了一种Ag8SnSe6晶体生长方法，采用溶体生长法，将Ag8SnSe6籽晶与Ag8SnSe6多晶料，以及NaCl与LiCl构成的复合覆盖剂装入坩埚中，抽真空后密封，有效避免了生长过程中Se挥发，提高了晶体的化学计量比准确性。本发明优选利用高热导率耐热钢作为基座支撑坩埚，可对结晶潜热进行有效传导从而有利于获得高完整性的Ag8SnSe6晶体。另外，本发明优化了晶体生长工艺，依次在850～950℃的高温区完成Ag8SnSe6原料融化并与籽晶接种，在700～850℃的中温区完成晶体生长直到熔体结晶完成，在450～700℃的低温区完成退火，有利于性能优异的Ag8SnSe6晶体的获得。
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公开(公告)号：CN108239787A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611226276.7
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请提供了一种制备SnSe晶体的方法，其特征在于，将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到；所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°。该方法通过采用斜体生长有效减少了晶体与容器的接触面积，并通过较小的温度梯度、较慢的生长速度和缓慢的晶体降温速度等措施，达到了抑制或消除晶体生长不同阶段产生应力的来源，有利于获得高完整性SnSe晶体。
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