-
公开(公告)号：CN111431501B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
-
公开(公告)号：CN116599481A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN115563836A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211379718.7
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种多物理场耦合谐振器的仿真方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括获取待求解谐振器模型，识别待求解谐振器模型中的多个物理场；对待求解谐振器模型进行立方体网格划分，并将网格划分后的待求解谐振器模型分为多个网格区域，通过有限元法获取所有网格区域的系统矩阵；其中系统矩阵中的自由度向量包含待求解谐振器模型中多个物理场的物理场分量基于对矩阵中相同物理场分量进行耦合的方式，将所有网格区域依次进行拼接，以获取待求解谐振器模型的系统矩阵；对待求解谐振器模型的系统矩阵进行求解，以获取目标求解物理量。本发明实现谐振器中多物理场的仿真结合，减少了求解的时间，同时也减小了需要计算矩阵的内存。
-
公开(公告)号：CN115347877A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210909089.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于压电衬底的多模式谐振器和多通带滤波器，其中，多模式谐振器包括：衬底层；单晶压电层，位于所述衬底层上；图案化电极组件，位于所述单晶压电层上；图案化介质膜，位于所述单晶压电层和/或图案化电极组件上，用于实现单个谐振模式到多个谐振模式的变换。本发明通过在压电衬底表面设计覆膜，能够通过单个谐振器激发并利用多个模式的谐振响应，并获得同时对多通带响应的滤波器，而无需大面积的多个滤波器集成，减小了器件面积，优化了散热途径，增大了设计自由度。
-
公开(公告)号：CN114465594A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113708739A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111000441.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种声波滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器，串联臂谐振器和所述并联臂谐振器之间的夹角在预设夹角区间内；每个谐振器包括：支撑衬底、压电薄膜和多个电极，压电薄膜设置在支撑衬底上，多个电极设置在压电薄膜上。基于本申请实施例通过将串联臂谐振器和并联臂谐振器之间的夹角设置在预设夹角区间内，可以抑制瑞利杂波，提高滤波器的综合性能。
-
公开(公告)号：CN112272015A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量 均满足模长 且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
-
公开(公告)号：CN111416590A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010244235.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种高频声波谐振器及其制备方法，该高频声波谐振器包括：高声速支撑衬底；绝缘介质层，绝缘介质层位于高声速支撑衬底的上表面；压电膜，压电膜位于绝缘介质层的上表面；叉指电极，叉指电极位于压电膜的上表面。通过在压电膜下方设置高声速支撑衬底可以增大压电膜中所激发传播的目标弹性波的声速，并可有效约束目标弹性波的传播，提高高频声波谐振器的谐振频率；通过在压电膜与高声速支撑衬底之间设置绝缘介质层，可以有效降低压电膜中电场能量的泄露，可增强高频声波谐振器的机电耦合系数；通过选择合适的绝缘介质层，可以对高频声波谐振器进行温度补偿，降低高频声波谐振器的温漂，提高高频声波谐振器的温度稳定性。
-
公开(公告)号：CN116633304B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310732219.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法、滤波器。该声学谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜层和叉指电极结构，支撑衬底内设有多边形空腔；支撑衬底为{111}单晶硅衬底；多边形空腔的周面包括硅 晶向；压电薄膜层靠近多边形空腔，且压电薄膜层设有多个刻蚀通孔，多个刻蚀通孔与多边形空腔连通。本申请提供的该声学谐振器具有优异的电学和机械性能。
-
公开(公告)号：CN119254175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299344.7
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
80
records
(took 0.043 seconds)
