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公开(公告)号：CN100422071C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN101251426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
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公开(公告)号：CN100397085C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510030947.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及一种悬臂梁-质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑，组成悬臂梁-质量块结构，通过锚点与衬底连接；在质量块两侧对称分布了一对左、右驱动电极和一对左、右敏感电极；所述传感器用纯数字电路制作接口电路；(2)所述的悬臂梁-质量块结构在X-Y平面内绕锚点运动；(3)质量块与敏感电极接触为状态A，质量块不与敏感电极接触为状态B。状态A与B可以用数字电路中的0和1(或者1和0)表示；本发明提供的是一种纯数字式传感器，接口电路易于制又可实现超微小型化而灵敏度和非线性与传流电容或传感器相当。
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公开(公告)号：CN1792764A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030805.1
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度计圆片级封装工艺，其特征在于，采用粘接键合和深反应离子刻蚀微机械体加工工艺技术相结合，所述的圆片级封装工艺步骤是：使用各向异性腐蚀溶剂氢氧化钾双面同时腐蚀出保护腔体和未穿通的引线通孔；使用干刻蚀型苯丙环丁烯，涂覆于盖板的保护腔体一面的整个正面，即有保护腔体的这一面；使用键合机完成盖板硅片和微机械加速度器件的硅片的键合；利用深反应离子刻蚀技术将铝引线处通孔刻蚀穿通。本发明提供的圆片级封装工艺采用的设备和工艺均为微机械加工的常规工艺和设备，具有通用中性强特点，适用于从低量程微机械加速度计到高冲击微机械加速度计的制作。
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公开(公告)号：CN1587024A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410066491.6
申请日：2004-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用掩膜－无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中，探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀，而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀，当探针针尖的直径达到预定值时，梁的厚度达到设定值。本发明所涉及的各向异性湿法腐蚀工艺一次成型AFM探针和悬臂梁的制作方法具有以下优点。(1)制作工艺简单：仅采用了常规的光刻工艺和湿法各向异性腐蚀工艺，对工艺设备要求较低、简便易行，降低了产品成本，提高了成品率；(2)采用SOI硅片的顶层硅的下表面作为光反射面，与重掺杂自停止腐蚀形成的表面相比更平整，光反射率高；(3)以二氧化硅埋层为腐蚀自停止层，与重掺杂自停止方法相比，对梁厚度的控制更为精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118723911A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310314056.3
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶圆级转移结构及其转移方法，晶圆级转移方法包括：于第一晶圆制备MEMS芯片，MEMS芯片与第一晶圆仅通过连接柱进行连接；将第二晶圆与第一晶圆通过MEMS芯片进行键合；对第一晶圆和第二晶圆的表面施加横向剪切力或温度差，使连接柱的悬空部分变形至断裂，使MEMS芯片从第一晶圆转移到第二晶圆上。本发明通过制备MEMS芯片后转移到晶圆上集成的方法，提高了MEMS芯片在晶圆上可以实现的集成度；同时利用面对面键合的方式转移MEMS芯片，从而避免了引线键合产生的寄生效应；另外通过直接在晶圆上制备MEMS芯片，提高了MEMS集成电路的制备效率；最后，配合温度差和施加应力的方法，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN111722707B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
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公开(公告)号：CN108615704B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
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公开(公告)号：CN108168580B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
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公开(公告)号：CN106935526B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
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