公开(公告)号：CN203942144U

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201420352191.3

申请日：2014-06-30

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 孟慧成 ,  谭昊 ,  余俊宏 ,  杜维川 ,  王昭 ,  高松信 ,  武德勇

IPC: H01S5/065

Abstract: 本实用新型公开了一种改善半导体激光器光谱合束光束质量的装置，包括半导体激光器、准直镜一、准直镜二、空间变换透镜、光栅、分光镜、全反镜一、全反镜二、滤波器、聚焦镜、耦合光纤；所述半导体激光器发射出的激光经过光栅合束后由分光镜分成两束不同比例的光束，其中一束光垂直与全反镜一、全反镜二；本实用新型由于半导体激光器外腔反馈属于弱反馈，通过在光栅衍射方向采用一分光镜，将分束后的一束光在带有滤波器的F-P腔中形成振荡，选取低阶模式的光束进行反馈注入锁定光谱，以此来改善半导体激光器光谱合束输出光束的光束质量，降低对光谱合束单元器件的要求。

公开(公告)号：CN214227349U

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202120235508.5

申请日：2021-01-28

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 谢鹏飞 ,  雷军 ,  吕文强 ,  张永刚 ,  高松信 ,  杜维川 ,  唐淳

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/024

Abstract: 本实用新型公开了一种多电极半导体激光器封装结构，属于激光技术领域，包括多电极半导体激光芯片和热沉；多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区；芯片区包括芯片区正极和芯片区负极；热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层；若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应，且芯片区正极附在对应的正极金属化层上；若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通。本实用新型的一种多电极半导体激光器封装结构，可以满足在不同电极注入大小不同的电流，不同电极对之间不会发生短路，从而实现多电极半导体激光芯片的功能，散热性能好，稳定可靠。

公开(公告)号：CN205882381U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620392160.X

申请日：2016-05-04

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 阮旭 ,  孟慧成 ,  谭昊 ,  杜维川 ,  余俊宏 ,  王昭 ,  吴华玲 ,  高松信 ,  王小军 ,  武德勇

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/0941

Abstract: 本实用新型提供了一种激光激发单色荧光粉得到高显色指数白光输出的装置，该方案包括有半导体激光器底座、半导体激光器阵列、光谱合束系统、光纤、光纤输出耦合镜、带有荧光粉层的色轮、色轮基板、电动马达、弧形光收集器、匀光输出模块；半导体激光器阵列发射出的激光束依次经过光谱合束系统，光纤、光纤耦合输出镜、荧光色轮，弧形光收集器、匀光模块得到白光输出。该方案采用光谱合成光源，弥补上述现有技术的不足，能够实现激光激发单一荧光粉得到白光输出。

公开(公告)号：CN204290036U

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201420855365.8

申请日：2014-12-30

Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所

Inventor： 范国滨 ,  李弋 ,  杜维川 ,  李艾 ,  李奇峰 ,  高松信 ,  武德勇

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/065

Abstract: 本实用新型提供了一种高亮度锥形半导体激光器的技术方案，该方案包括有基底、脊形主震荡区、侧向周期波导限制结构、锥形增益放大区、前腔面和后腔面；前腔面设置在基底的一侧面；后腔面设置在前腔面对侧的基底侧面上；脊形主震荡区设置在靠近后腔面的基底中部；锥形增益放大区设置在靠近前腔面的基底上；锥形增益放大区与脊形主震荡区接连；脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构。该方案采用脊形主震荡区两侧对称设置有至少一对侧向周期波导限制结构，能够有效抑制高阶模，使脊形主震荡区在较大的脊条宽度和刻蚀深度下仍然保持基模输出，实现锥形半导体激光器的高亮度激光输出。