公开(公告)号：CN101553074B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910135779.7

申请日：2003-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种顶板，其用于在处理容器内使高频通过而生成等离子体，该顶板的特征在于：所述顶板由电介质构成，且具有波反射部件，在所述顶板的内部传播时，该波反射部件在该顶板内部反射高频，所述波反射部件具有从所述顶板的表背的至少一个表面凹陷的凹部，该凹部的变薄的部分的厚度为所述高频在所述顶板中传播时的波长的1/2倍以下。

公开(公告)号：CN102362557A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013280.X

申请日：2010-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供能够防止因电介质窗的弯曲等而产生缝隙的微波等离子体处理装置。使微波等离子体处理装置的电介质窗(12)与电介质板(22)之间为1～600Torr(1.3332×102～7.9993×104Pa)的范围的负压。因为能够将电介质板(22)按压于电介质窗(12)，使电介质板(22)与电介质窗(12)的弯曲一致地弯曲，所以能够防止电介质板(22)与缝隙板(23)之间或缝隙板(23)与电介质窗(12)之间产生间隙。因为大气压不直接作用于电介质窗(12)，所以还减少电介质窗(12)的弯曲。

公开(公告)号：CN101587825B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910129414.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。即使簇射极板破裂，也能防止毒性气体被放出到装置外部。以将由腔室(1)、隔离件(1b)和上板(1a)构成的处理容器的上部开口封闭的方式配置簇射极板(7)，自簇射极板的开口部(9)向腔室内放射等离子体激发用气体。向配置在簇射极板外侧的隙缝天线(12)供给微波而产生等离子体，用气体吸引装置(28)从气体排出口(18、22)吸引隔离件的内壁与簇射极板的外周面间的第1间隙(16)、隙缝天线的放射面与电介质盖板(6)间的第2间隙(19)中的大气；用气体除害装置(29)除去毒性气体，即使簇射极板破裂，有毒的毒性气体也不会被放出到等离子体处理装置(50)的周边。

公开(公告)号：CN101622692B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880006209.1

申请日：2008-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吹上纪明 ,  河本慎二 ,  高场裕之 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。

公开(公告)号：CN101529563B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200780038770.3

申请日：2007-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  野泽俊久 ,  井口敦智 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 本发明提供一种一体烧结气体排出孔而成的簇射极板及其制造方法。为了防止等离子体的逆流，配置在簇射极板的纵孔内的气体排出孔构件(陶瓷构件或多孔质气体流通体)被无间隙地一体烧结结合，在使用簇射极板时不会自纵孔脱落、且自各纵孔排出的气体排出量无偏差，能够更完全地防止等离子体发生逆流，并可高效地激励等离子体的簇射极板。簇射极板(106)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的许多个纵孔(105)内，一体烧结结合地配置具有多个直径为20μm～70μm的气体排出孔的陶瓷构件和/或具有最大气孔直径为75μm以下的沿气体流通方向连通的气孔的多孔质气体流通体。

公开(公告)号：CN101371341B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200780002764.2

申请日：2007-01-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，该等离子处理装置具有真空处理容器(34)、设于该容器内的、载置被处理体(W)的载置台(36)。处理容器(34)具有形成有上部开口的筒状容器主体(34A)、气密地安装于该主体的上部开口、由透过电磁波的电介体制的顶板(50)。该等离子处理装置还具有通过顶板向容器内供给用于产生等离子的电磁波的电磁波供给系统(54)、用于将包含处理气体的气体供给到容器内的气体供给系统(110)。在顶板(50)上形成有用于将由气体供给系统供给的气体向容器内喷出的气体喷射孔(108)。在各喷射孔(108)内配置由具有透气性的电介体制的放电防止构件(120)。

公开(公告)号：CN101556909A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910129409.2

申请日：2009-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  岸田好晴

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及其密封结构、密封方法。该装置的密封结构能使等离子体稳定，防止密封构件老化。密封等离子体产生室(2)的开口部的闸阀包括阀体(16)、阀杆(17)和密封阀体与等离子体产生室的间隙的环状密封构件(11、12)。密封构件(11)位于等离子体产生室侧，直接接触等离子体气体介质。密封构件(11)与密封构件(12)不接触，存在间隙(S)。阀体沿密封构件(11)长度方向有多个气体槽(13)。气体槽位于与密封构件(11)的长度方向大致正交的方向上，连通间隙和等离子体产生室。在等离子体产生室的壁上设有向间隙注入气体的气体注入通路(14)。设有沿密封构件(11)长度方向连续的凹部(15)，将气体注入通路的气体排出口和凹部连结。

公开(公告)号：CN101553074A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910135779.7

申请日：2003-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种顶板，其用于在处理容器内使高频通过而生成等离子体，该顶板的特征在于：所述顶板由电介质构成，且具有波反射部件，在所述顶板的内部传播时，该波反射部件在该顶板内部反射高频，所述波反射部件具有从所述顶板的表背的至少一个表面凹陷的凹部，该凹部的变薄的部分的厚度为所述高频在所述顶板中传播时的波长的1/2倍以下。

公开(公告)号：CN101491164A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027037.1

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板(105)配置于等离子体处理装置的处理室(102)中，具备为了在处理室(102)中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔(113a)，将气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)设定为20以上。气体放出孔(113a)形成于与喷淋板(106)分立的陶瓷构件(113)上，将该陶瓷构件(113)安装于开设在喷淋板(106)上的纵孔(105)中。

公开(公告)号：CN100492591C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480025471.2

申请日：2004-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511

Abstract: 在腔室(1)上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部(3)，在天线部(3)的下部设置有密封腔室(1)的开口部的顶板(4)，在顶板(4)的下表面一侧设置有环形的突条(41)，其径向的厚度以锥形连续变化，从而在等离子的任意条件下均可以在某处产生共振。由此，仅准备一种顶板就可以起到与准备各种厚度的顶板相同的效果，可以使等离子的吸收率显著提高，并且从高压至低压均可以稳定地产生等离子。