公开(公告)号：CN101826434A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010128803.7

申请日：2010-03-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/03

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极，控制等离子体生成时所消耗的高频的电场强度分布。该等离子体处理装置用的电极为在利用高频能量生成等离子体、对晶片(W)进行等离子体处理的等离子体蚀刻装置(10)中使用的电极，该电极具有：由金属形成的基材(105a)；设置在基材(105a)的等离子体侧的面的中央部、至少一部分从基材(105a)露出的第一电介质(105b)；和设置在第一电介质(105b)和等离子体之间、由金属形成规定图案的第一电阻体(105d)。

公开(公告)号：CN100551200C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610073360.X

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  松土龙夫

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置(100)具有：可保持真空气氛的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2、18)；和在第一和第二电极(2、18)之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，第二电极(18)中，至少与第一电极(2)相对的部分被分割成由导体构成、处于浮动状态或被接地的第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)，还具有向第一分割片(18c1)和第二分割片(18c2)之间施加电压的可变直流电源。

公开(公告)号：CN100539000C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510127554.9

申请日：2005-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 桧森慎司 ,  今井范章 ,  堀口克己 ,  根津崇明 ,  松山昇一郎 ,  松丸弘树 ,  速水利泰 ,  永关一也 ,  酒井伊都子 ,  大岩德久 ,  杉安良和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。

公开(公告)号：CN101370349A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810135193.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松土龙夫 ,  桧森慎司 ,  今井范章 ,  大瀬刚 ,  阿部淳 ,  胜沼隆幸

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。

公开(公告)号：CN1783431A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510127676.8

申请日：2005-12-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桧森慎司 ,  樋口公博 ,  松土龙夫 ,  饭嶋悦夫 ,  伊藤弘治 ,  松山昇一郎 ,  今井范章 ,  永关一也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏(charge up damage)的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2)，(18)；和在第一和第二电极(2)，(18)之间形成高频电场，生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，在该电容耦合型的等离子体处理装置(100)中，第一电极(2)支撑晶片(W)，并作为施加高频电力的阴极起作用，第二电极(18)作为接地的阳极起作用，第二电极(18)的与第一电极(2)对置的表面由导电体(18c)构成。

公开(公告)号：CN1745463A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200480003417.8

申请日：2004-02-03

Applicant: 日本奥特克株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 奥村胜弥 ,  桧森慎司 ,  永关一也 ,  松丸弘树 ,  松山升一郎 ,  高桥俊树

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种在被处理基板(W)上实施等离子体处理的等离子体处理装置，包括收纳被处理基板的能够减压的处理容器(10)。在处理容器内配置有第一电极(12)。为了使处理气体供给到处理容器内而配置有供给系统(62)。为了生成处理气体的等离子体而配置在处理容器内形成高频电场的电场形成系统(32)。在第一电极(12)的主面上，离散地形成有向着等离子体生成空间一侧突出的多个凸部(70)。

公开(公告)号：CN119153303A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411261834.8

申请日：2020-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  广津信 ,  池田武信 ,  永海幸一 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。一示例性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括在等离子体处理装置的腔室内的等离子体生成过程中的第一期间，向设置于腔室内的基板支撑器的下部电极施加第一直流电压的工序。等离子体处理方法还包括在腔室内的等离子体生成过程中的与第一期间不同的第二期间向下部电极施加第二直流电压的工序。第二直流电压具有与第一直流电压的电平不同的电平。第二直流电压具有与第一直流电压的极性相同的极性。

公开(公告)号：CN118098921A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410266702.8

申请日：2019-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永海幸一 ,  大下辰郎 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以上的直流电源，其产生施加到载置台的具有负极性的偏置用的直流电压；切换单元，其能够停止对载置台施加直流电压；和控制切换单元的控制器，控制器控制切换单元，以使得作为偏置用，仅将来自一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加到载置台，在将规定施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到载置台的时间所占的比例。

公开(公告)号：CN117769755A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202280052235.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  桧森慎司 ,  本田昌伸 ,  照内怜

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。

公开(公告)号：CN117321404A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280034060.8

申请日：2022-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 照内怜 ,  广濑润 ,  永关一也 ,  桧森慎司

IPC: G01N15/14

Abstract: 本发明的粒子监控系统，具备：发光装置，对等离子体处理装置内照射光；及监控装置，载置于等离子体处理装置内的工作台上。监控装置包含：基底基板；多个拍摄装置；及控制装置。基底基板呈板状。多个拍摄装置具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并拍摄包含来自被光照射的粒子的散射光的图像。控制装置判别由多个拍摄装置所拍摄到的图像内的粒子。