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公开(公告)号：CN111826710A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910329242.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，所述方法包括：获取所述坩埚的初始位置高度POS0、所述坩埚中硅熔体的初始液面高度D0以及所述坩埚中硅熔体液面与导流筒之间的初始距离MG0；获取当前生长的硅晶棒长度为L时的所述坩埚的当前位置高度POSL和所述坩埚中硅熔体的当前液面高度DL；根据所述初始位置高度POS0、所述当前位置高度POSL、所述初始液面高度D0和所述当前液面高度DL判断当前生长的硅晶棒长度为L时所述坩埚的当前位置高度是否安全。根据本发明的控制硅熔体坩埚安全升降的方法和装置，避免了拉晶过程中因为坩埚的上下移动超出限度而发生毁损，同时保证了在坩埚上下移动过程中其中的硅熔体液面的稳定性，保证了硅晶棒的稳定生长。
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公开(公告)号：CN111270301A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811472539.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。根据本发明的晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉，将导流筒设置成包括内筒、外筒和设置在内筒和外筒之间的隔热材料，使外筒的热阻高于内筒的热阻，降低了导流筒上外筒对内筒的传热，从而使内筒的温度降低，有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导，从而提升了晶棒的纵向温度梯度；同时，使外筒的温度上升，减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽(SiOx)在导流筒外筒上凝聚，从而减少了氧化物(SiOx)落入硅液产生杂质而发生多晶化(Dislocation)的现象。
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公开(公告)号：CN112481694B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910860775.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于晶体生长的反射屏装置，包括:导流筒，配置为调节熔体和晶体之间的温度；其中，所述导流筒包括第一表面，所述第一表面靠近所述熔体表面；所述导流筒还包括第二表面，所述第二表面靠近所述晶体表面；热辐射通道，所述热辐射通道位于所述第一表面和所述第二表面之间，以将所述第一表面的热量传递到所述第二表面。根据本发明提供的用于晶体生长的反射屏装置，在导流筒的第一表面和第二表面之间设置热辐射通道，以控制熔体表面的热辐射传递到晶体外表面的热通量，从而使固液界面变得较为平坦，且晶体固液界面至其轴向一定高度处的平均温度梯度值在晶体中心和边缘范围内变得相同或相近。
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公开(公告)号：CN113337896A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110463329.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 沈伟民
Abstract: 本发明提供一种支撑电极及加热器和单晶炉。所述支撑电极包括石墨电极和铜电极，支撑电极为非通电电极，其中，石墨电极位于铜电极的上方，石墨电极为中空结构以减小石墨电极的传热截面积，其内部填充有隔热材料以防止石墨电极的辐射热传入铜电极，从而降低铜电极的温度；铜电极上部与石墨电极下部连接，铜电极上部插入石墨电极的中空结构中并与隔热材料接触，铜电极下部具有通冷却水的槽体。本发明通过减小支撑电极的石墨电极的传热截面积，达到减少热量传入铜电极的目的，减小了非通电电极的热量流失，使热场的热分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN112831836A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011611880.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种拉晶方法和拉晶装置。所述方法包括：在拉晶过程中，保持用以容纳硅熔体的坩埚旋转的同时对坩埚内的硅熔体施加水平方向的磁场，其中，当改变所述磁场的磁场强度时和/或当改变所述磁场的磁场强度后，容易引起硅晶棒晶棒和熔体的固液界面温度的波动，通过改变坩埚的旋转速度，改变坩埚内硅熔体的强迫对流，从而快速降低由于磁场强度的改变导致的固液界面温度的波动，使拉晶过程得到的晶棒直径趋于稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112095154B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910527728.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN112095154A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527728.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN111850681A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910357352.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。
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公开(公告)号：CN111636096A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910156340.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶体提拉机构及晶体生长装置，所述晶体提拉机构包括:腔体，所述腔体内充满惰性气体；晶体提拉单元，所述晶体提拉单元位于所述腔体中，配置为通过提拉晶绳提拉晶体；气体净化单元，所述气体净化单元包括由气体过滤膜、气体抽引泵和气体导管构成的过滤净化回路，配置为净化所述腔体内的惰性气体。根据本发明提供的晶体提拉机构，通过气体净化单元净化腔体内的惰性气体，避免了提拉过程中产生的金属颗粒落入硅熔体，进而避免了生长后的单晶棒中金属元素浓度超出许可范围，提高了产品质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN111172585A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811340095.6
申请日：2018-11-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉，所述反射屏包括内筒、外筒、填充于所述内筒和所述外筒之间的隔热材料，以及设置于所述内筒与所述外筒连接处的隔热垫。本发明提供的单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉能够降低反射屏外筒对内筒的传热，以提高晶棒的纵向温度梯度，防止或减少从硅液面蒸发的硅氧化物蒸汽在反射屏外筒上凝聚，从而减少氧化物落入硅液产生杂质而发生多晶化，同时由于减少了不必要的传热，因而还能够降低单晶生长过程中所需的加热功率。
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