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公开(公告)号：CN102201362B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110123907.3
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/304
Abstract: 一种制备任意厚度的带有绝缘埋层的衬底的方法，采用了研磨的方法将器件衬底和支撑衬底研磨减薄到接近目标厚度，再采用抛光工艺做精细加工，且在研磨减薄工艺中特别为器件衬底预留了更多的余量，以保证器件衬底能够得到更为精细的抛光。以上方法通过将常规的研磨和抛光等工艺巧妙结合，并根据目标厚度来控制每一步实施完毕后所保留的衬底厚度，从而做到了能够在支撑衬底的机械强度允许的范围内将支撑衬底减薄到任意厚度。
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公开(公告)号：CN103117235A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310036846.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种等离子辅助键合方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底表面包含一氧化层；采用氮气等离子体处理工艺处理所述氧化层的表面；对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理，本步骤所采用的等离子体种类和处理时间至少有一项不同于对所述氧化层表面的处理步骤。本发明的优点在于，通过调整等离子体气体和等离子体处理时间，对待键合的两片衬底表面采用不同的等离子体处理，可以获得两种不同化学特性的表面，从而提高键合界面性能和键合良率。
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公开(公告)号：CN101799381B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010116252.2
申请日：2010-03-02
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。
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公开(公告)号：CN101335236B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710173710.4
申请日：2007-12-28
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种利用桶式外延炉进行埋层外延用于制作BICMOS电路的制备方法，属于微电子技术领域。具体地说是一种利用桶式外延炉来制备BICMOS原材料的新工艺，新制备方法。这种新型制备方法相比于通常单片炉制备方法不但能满足BICMOS电路制作的高要求，而且具有高产量、低成本等优点。
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公开(公告)号：CN105762064B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201610084232.9
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)利用金属液滴回融所述衬底，以在所述衬底表面形成图形化表面；(c)在所述衬底图形化表面外延生长氮化物。本发明的优点在于，在衬底上实时生长过程中通入金属有机源，这些金属原子将集聚成纳米尺寸的液滴，高密度且均匀地结合在衬底的表面上，在高温下，这些金属液滴将与衬底形成合金，将衬底腐蚀出凹凸不平的表面，缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长过程中由于晶格失配带来的应力，使外延层得到有效的弛豫，同时其能减少外延层中的穿透位错密度，从而降低氮化物外延层材料中的缺陷密度，提高材料的晶体质量，从而能改善器件的光学、电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910770B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710122934.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/20 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。
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公开(公告)号：CN105762061B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201610084233.3
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化物的外延生长方法，包括如下步骤：提供一衬底；在一第一温度及第一氨气流量下，在所述衬底一表面生长第一氮化铝层；在一第二温度及第二氨气流量下，在所述第一氮化铝层一表面生长第二氮化铝层；在一第三温度及第三氨气流量下，在所述第二氮化铝层一表面生长第三氮化铝层，所述第一氮化铝层、第二氮化铝层及第三氮化铝层形成成核层；其中，所述第二温度及第三温度均大于所述第一温度，所述第一氨气流量及第二氨气流量均大于所述第三氨气流量；在所述成核层表面生长氮化物层。本发明优点在于，能够缓解生长氮化物异质外延存在的晶格不匹配及热失配等问题，减小应力，降低位错密度。
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公开(公告)号：CN105762063B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610084231.4
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种硅基氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在氢气气氛及第一温度下，在衬底一表面外延生长第一氮化物层；(c)在氮气气氛及第二温度下，在第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，第一温度大于第二温度；(d)循环进行步骤(b)～(c)，形成周期性的氮化物层。本发明的优点在于，采取高温氢气和低温氮气下循环生长，二维/三维生长模式循环转换来生长氮化物，可以缓解氮化物与衬底间存在的晶格不匹配及热失配问题，有效释放应力，避免外延层裂纹的产生，同时还可以过滤位错，从而获得低位错密度、高晶体质量的氮化物薄膜，从而应用于氮化镓基光电或电子器件制备。
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公开(公告)号：CN106935485A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710122890.7
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02389 , H01L21/02658
Abstract: 一种用于氮化物外延生长的衬底局域非晶化方法，包括：提供半导体衬底；将激光束聚焦于所述半导体衬底内部；将所述激光束垂直于所述半导体衬底，进行多次水平移动扫描，在所述半导体衬底内形成非晶化层。上述方法在半导体衬底内形成非晶化层，所述半导体衬底可以作为外延生长氮化物的基底，形成高质量的氮化物外延层。
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公开(公告)号：CN106835269A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710122936.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 一种用于氮化物外延生长的叠层基板及其形成方法，所述叠层基板包括：至少一组堆叠结构，所述堆叠结构包括氮化铪层和氮化铝层，所述氮化铪层和氮化铝层相互堆叠；所述叠层基板具有六方晶体结构。所述叠层基板适于作为高温生长氮化物外延层的基底，形成高质量的氮化物外延层。
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