公开(公告)号：CN103390570A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310350269.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 陈斌 ,  张斌 ,  向环宇

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种电容-电压测试预处理的方法，包括如下步骤：提供一待测试片；将所述待测试片置于臭氧环境中进行预处理，以形成一氧化层。本发明的优点在于，采用臭氧处理测试片表面后，大大简化了处理的流程，缩短了预处理的时间，仅占现有预处理方法20%左右的预处理时间。并且由于不使用化学药剂，具有处理更加高效、更加环保、更加安全、更加节约成本、且测试重复性好等优点。

公开(公告)号：CN101550590B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910048613.1

申请日：2009-03-31

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张斌 ,  陈浩 ,  张峰

IPC: C30B25/14

Abstract: 一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得具有不同的掺杂元素浓度的气体，而不需要更换掺杂源，因此简化了工艺过程，降低对衬底和外延层的污染，并且实现了生长过程中的在位切换，易于控制每一次外延生长的厚度以及掺杂浓度的分布状态。

公开(公告)号：CN101799381A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010116252.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  张斌 ,  陈浩

IPC: G01N1/28

Abstract: 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。

公开(公告)号：CN101799381B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201010116252.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张峰 ,  张斌 ,  陈浩

IPC: G01N1/28

Abstract: 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。

公开(公告)号：CN210059145U

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201920624563.6

申请日：2019-04-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 吴庆东 ,  李闯 ,  张斌 ,  张思良 ,  杜防修

IPC: B08B3/04

Abstract: 该实用新型涉及一种法兰清洁装置，包括：密封件，用于设置至待清洗法兰的前端口和后端口，在待清洗法兰的前后端口之间形成密封空间；通入管道，设置于所述密封件，用于连通至所述密封件和待清洗法兰构成的密封空间，以向所述密封空间通入清洗液或清洗气体。本实用新型中的法兰清洁装置具有密封件，能够在待清洗法兰的前后端口之间形成密封空间，并具有通入管道，能够通过所述通入管道，向所述密封空间内通入清洗液或清洗气体，利用清洗液对待清洗法兰内壁上的沉积物进行浸泡清洁，具有较好的清洗效果，且在清洗过程中不会有反应气体的排出，不会影响人员工作环境及机台的环境，并且能够缩短清洗时间，提升机台利用率、降低工作难度和减少部件的损伤。