-
公开(公告)号:CN106745242A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201710007184.8
申请日:2017-01-05
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G29/00
CPC classification number: C01G29/006 , C01P2002/20 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种采用浓碱水热法制备BiOCuS纳米片的方法,首先依次将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、氧化铋或可溶性铋盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中反应1‑5天,最后离心、干燥即得BiOCuS纳米片。本发明的方法操作简单,制备容易,元素化学计量比控制精确,所用前驱体材料成本低廉、无毒性,制备的纳米片可作为超导材料。
-
公开(公告)号:CN119698215A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411656224.8
申请日:2024-11-19
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H10K85/60 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K30/60 , C07C209/00 , C07C211/09
Abstract: 本发明涉及光电技术领域,尤其是涉及一种有机‑无机杂化光探测材料在制备光电薄膜器件中的应用。本发明首先将有机‑无机杂化光探测材料、二甲基亚砜和N,N‑二甲基甲酰胺混匀,得到混合溶液;然后将溶液旋涂于导电衬底上,真空退火处理后得到光电薄膜;最后在光电薄膜上通过丝网印刷银浆,制备得到光电薄膜器件;其中,有机‑无机杂化光探测材料的化学结构式为[C4N2H14][SbBr5],并具有以下晶胞参数:#imgabs0#角度为α=90°,β=118.763(2)°,γ=90°。
-
公开(公告)号:CN119286523A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411287805.9
申请日:2024-09-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/85 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用,该蓝色荧光材料的化学表达式为Rb2La1‑xCl5:xEu2+,其中0.005≤x≤0.08。制备方法包括以下步骤:(1)按照计量比,称取铷源化合物、镧源化合物、铕源化合物原料粉体,均匀后,得到混合料;(2)将步骤(1)中得到的混合料进行研磨混合均匀,得到原料粉末;(3)将研磨后的原料粉末进行烧结,随后冷却至室温,最终得到所述紫外激发的蓝色荧光材料。与现有技术相比,本发明提供的紫外激发的蓝色荧光材料是一种新型紫外激发Eu2+掺杂的卤化物基蓝光发射荧光粉,能够满足目前白光LED、类太阳光LED、全光谱LED方面的迫切需求。
-
公开(公告)号:CN118813249A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410793073.4
申请日:2024-06-19
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为RbSr2‑xCl5:xEu2+其中0.01≤x≤0.1。与现有技术相比,本发明提供的所述紫外激发的蓝色荧光材料是一种紫外激发Eu2+掺杂的卤化物基420nm蓝光发射荧光材料,具有宽激发带,有效吸收范围覆盖200~400nm,可被紫外激发,中心发射波长420nm的蓝光,具备物理化学性质稳定的优势,同时,该荧光粉可采用封管真空固相反应法制得,具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点,可作为紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等蓝光部分广泛应用的良好候选材料。
-
公开(公告)号:CN118772873A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410754086.0
申请日:2024-06-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光材料制备技术领域,尤其是涉及一种紫光激发的荧光材料及其制备与应用。本发明的荧光材料的化学表达式为Cs2MnCl4:xEu3+,其中,0.005≤x≤0.08;或,该荧光材料的化学表达式为Cs2Mn1‑yBiyCl4其中0.005≤y≤0.08。本发明的荧光材料具备物理化学性质稳定的优势,同时,该荧光材料可采用水热法制得,具有制备工艺简单、所制备样品纯度高的优点,可作为白光LED芯片或近红外pc‑LED芯片的良好候选材料;所述荧光材料完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配,满足商业化市场需求。
-
公开(公告)号:CN118725854A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410777631.8
申请日:2024-06-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带发射的绿光发射荧光粉及其制备方法与应用,所述绿光发射荧光粉属于AO‑SiO2‑Si3N4‑EuO体系;其中,A包括Ca、Sr和Ba中的一种或几种;所述绿光发射荧光粉中各物质的质量百分比为:AO 60.36%‑80.86%,SiO218.00%‑38.50%,Si3N4 0.00%‑20.46%,EuO 0.11%‑0.65%。与现有技术相比,本发明制备的宽带发射的绿光发射荧光粉在紫外光激发下的发射出光谱范围涵盖450~800nm,中心波长位于538nm的绿光,拓宽了发射光谱的范围。
-
公开(公告)号:CN118507589A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410559343.5
申请日:2024-05-08
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于硫代乙酸溶液的In2Se3/GaAs异质结光电薄膜及其制备方法和应用,包括以下步骤:用浓H2SO4和H2O2浸泡GaAs衬底后得到改性衬底;将铟源溶于反应溶剂中进行反应,并加入分散溶剂,搅拌至澄清透明,得到In前驱体溶液;将In前驱体溶液旋涂在改性衬底上,加热退火,重复3~10次旋涂退火后,得到前驱薄膜;将前驱薄膜置于石墨盒中,放入封闭的石英管中,在真空条件下,使用硒源对前驱薄膜进行硒化,得到In2Se3/GaAs异质结光电薄膜。本发明能够制备得到低成本、光电探测性能优良,同时光响应波段由可见光拓展至短波红外波段的In2Se3/GaAs异质结光电薄膜。
-
公开(公告)号:CN117701279A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311539284.7
申请日:2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料及其制备方法。该荧光材料的化学表达式为Li2Ba8Lu2(1‑x)Si6O24:xCe3+,其中0.01≤x≤0.2。与现有技术相比,本发明紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料是一种新型紫光激发铈掺杂的氧化物基蓝光荧光粉,所得荧光粉可以在400nm紫光激发下,发射中心波长为440nm的蓝光,实现紫光激发蓝光发射。本发明荧光粉为氧化物基荧光粉,具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低、应用前景广泛等突出优势,其发射波长包含420~600nm,量子效率达到51%,匹配紫光激发芯片,适用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等应用。
-
公开(公告)号:CN114133930B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202111452856.9
申请日:2021-12-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种暖白光石榴石型荧光玻璃陶瓷及其制备方法。化学式为Y2.94‑xCaxAl2‑2xMg2xAl3‑3xSi3xO12:0.06Ce。将Y2O3、CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、CeO2研磨后烧结;再放入氮氢混合气中还原,得到红移型石榴石荧光粉;将红移型石榴石荧光粉、硼硅锌钠玻璃粉分散在有机浆料中,将其均匀分布在石英玻璃衬底上烧结,得到红移型石榴石PiG荧光薄膜;将红移型石榴石PiG荧光薄膜与蓝光芯片复合得到暖白光LED。本发明通过改变Y3Al5O12结构中A、B、C位置中的离子替换浓度来调节荧光粉的光谱,其中发光中心Ce3+的发生质心移动和能级分裂,使光谱实现红移。
-
公开(公告)号:CN115612493A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211097161.8
申请日:2022-09-08
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)单掺杂红光发射荧光粉及其制备方法和应用,该荧光粉的化学通式为Ba3YB3O9:xEu2+,其中0.25mol%≤x≤1mol%。该荧光粉的制备方法包括以下步骤:按照化学计量比称取原料粉体,研磨均匀;然后将研磨好的原料放入坩埚中,煅烧后冷却,得到前驱体;将得到的前驱体二次研磨均匀后,还原烧结,冷却后得到所述红光发射荧光粉。与现有技术相比,本发明提供的红光发射荧光粉可在紫外光激发下发射出光谱范围涵盖435~800nm的宽带红光,具有物理化学性质稳定、制备工艺简单、利于工业化成产的优点,可以与现有的商业紫外LED芯片很好地匹配。
-
-
-
-
-
-
-
-
-