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    隔离型LDNMOS器件及其制造方法
    41.
    发明公开
    隔离型LDNMOS器件及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102130168A

    公开(公告)日：2011-07-20

    申请号：CN201010027309.1

    申请日：2010-01-20

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  刘剑 ,  陈瑜 ,  熊涛 ,  陈雄斌 ,  罗啸

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

    Abstract: 本发明公开了一种隔离型LDNMOS器件，包括了漂移区、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅，在沟道区和漏区间形成有浅沟槽隔离。漂移区由一高压深N阱和一SONOS深N阱横向相连组成，高压深N阱的深度大于所述SONOS深N阱的深度；且高压深N阱处于沟道区的下方，SONOS深N阱形成于浅沟槽隔离场氧化层下方。本发明还公开了该隔离型LDNMOS器件的制造方法。本发明并不需要新加光罩，而仅是对现有隔离型LDNMOS的深N阱以及SONOS的深N阱的版图进行变动就能实现，能够使高压器件的击穿特性和源漏导通电阻特性同时优化，并能大大降低成本。

    测量曝光机台焦距偏移量的方法
    42.
    发明授权
    测量曝光机台焦距偏移量的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101446767B

    公开(公告)日：2010-12-15

    申请号：CN200710094288.3

    申请日：2007-11-27

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  罗啸 ,  陈雄斌 ,  熊涛 ,  陈瑜

    IPC: G03F7/20

    Abstract: 本发明公开了一种测量曝光机台焦距偏移量的方法，包括如下步骤：(1)在曝光机台正常工作的状态下，对硅片进行曝光，得到第一次曝光图形；(2)用和硅片运动平面倾斜的入射光对步骤(1)中得到的硅片进行第二次曝光，得第二次曝光图形；(3)测量两次曝光图形的偏移量，并结合光的倾斜度，计算出曝光机台焦距的偏移量。本发明的方法，实现了准确测量曝光机台焦距的偏移量。

    湿法晶圆清洗方法
    45.
    发明公开
    湿法晶圆清洗方法 无效

    公开(公告)号：CN101869895A

    公开(公告)日：2010-10-27

    申请号：CN200910057110.0

    申请日：2009-04-23

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  陈雄斌 ,  陈瑜 ,  熊涛 ,  罗啸

    IPC: B08B3/08

    Abstract: 本发明公开了一种湿法晶圆清洗方法，包括如下步骤：(1)晶圆送入清洗槽；(2)舱门关闭；(3)通入热氮气，同时电机带动晶圆开始旋转，直到晶圆的温度达到指定温度；(4)药液通过喷嘴进入清洗槽进行清洗，晶圆保持旋转；(5)药液清洗完成后喷嘴喷入去离子水以置换出已使用的药液，晶圆保持旋转；(6)残留药液置换完成后通入热氮气，同时电机带动晶圆加速旋转进行甩干；(7)甩干完成，晶圆送出。该方法既可以提高药液的利用率，减少浪费，还可以缩短工艺时间，提高湿法清洗效率，实现节能减排。

    CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传感器
    46.
    发明公开
    CMOS图像传感器制造方法及CMOS图像传感器 无效

    公开(公告)号：CN101752309A

    公开(公告)日：2010-06-23

    申请号：CN200810044041.5

    申请日：2008-12-02

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  熊涛 ,  陈瑜 ,  陈雄斌 ,  罗啸

    IPC: H01L21/822 ,  H01L27/146

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，其后段工艺中先在感光层之上淀积一层阻挡层，然后进行PMD淀积、平坦化、光刻、刻蚀，将位于感光二极管上方的PMD刻蚀掉并停止在阻挡层上，然后淀积一层高折射率介质层，再进行平坦化，并且保持总的厚度基本不变，后续的工艺同传统工艺一致；其他IMD的做法同PMD类似，但不需要淀积阻挡层。本发明还公开了一种CMOS图像传感器，在硅衬底之上分布有感光二极管的感光层之上为一阻挡层，在阻挡层之上覆盖有介质层，其中感光二极管对应上方的介质层为较常规介质层折射率高的高折射率介质层，其它部分的介质层为常规介质层。本发明能避免CMOS图像传感器的像素产生“光互扰”，提高像素的响应角度。

    利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构
    47.
    发明公开
    利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构 无效

    公开(公告)号：CN101740614A

    公开(公告)日：2010-06-16

    申请号：CN200810043933.3

    申请日：2008-11-13

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  陈瑜 ,  熊涛 ,  罗啸 ,  陈雄斌

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

    Abstract: 本发明公开了一种利用多晶硅场极板保护沟道区的LDMOS结构，包括深阱、源极、漏极、栅极和沟道区，其中，源极、漏极、栅极和沟道区都在深阱中，源极和沟道区位于栅极的一侧，漏极位于栅极的另一侧，源极、深阱和漏极的掺杂类型相同，源极、深阱和沟道区的掺杂类型相反，在沟道区与深阱边缘上方设有多晶硅场极板，或在沟道区与漏极的PN结边缘上方设有多晶硅场极板。该LDMOS结构能减少LDMOS衬底与漏极之间的表面电场，以提高LDMOS的击穿电压。

    利用空气环改善CIS成像质量的方法
    48.
    发明公开
    利用空气环改善CIS成像质量的方法 无效

    公开(公告)号：CN101740496A

    公开(公告)日：2010-06-16

    申请号：CN200810043931.4

    申请日：2008-11-13

    Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司

    Inventor： 陈华伦 ,  熊涛 ,  陈瑜 ,  陈雄斌 ,  罗啸

    IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L23/552

    Abstract: 本发明公开了一种利用空气环改善CIS成像质量的方法。包括以下步骤：步骤一、化学气相淀积形成第一层介质层，并进行平坦化；步骤二、形成通孔及金属层；步骤三、重复步骤一和步骤二直到钝化层之前的介质层和金属层完成；步骤四、将像素四周一圈的介质层刻蚀掉，直到光电二极管表面；步骤五、以非一致性化学气相淀积的方式淀积钝化层，形成一个包围像素的空气环。本发明可以有效解决像素之间的“光互扰”的方法，并且提高传感器对光的响应角度，从而提高图像的质量。

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