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公开(公告)号：CN101956235A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055073.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种掺铁铝酸锂晶体的制备方法，包括：将氧化铝、碳酸锂和氧化铁作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；加热所述烧结后的成型体得到熔体，将籽晶与所述熔体接触，用提拉法生长掺铁铝酸锂晶体。按照本发明提供的方法，将所述几种原料混合后压块得到成型体烧结后，再用提拉法可以制得大尺寸、透明完整的掺铁铝酸锂晶体。测试结果表明，按照本发明制备的掺铁铝酸锂晶体具有较好的热稳定性和化学稳定性。
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公开(公告)号：CN101509144B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910046584.5
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C30B29/38 , C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)(302)面衬底上，在N2保护下，升温到800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH4)或者二茂镁(Cp2Mg)，生长一层SiNx或者Mg3N2阻挡层，厚度为1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。
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公开(公告)号：CN101717923A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910200280.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明公开了一种非极性GaN薄膜及其制备方法。该薄膜包括：LiAlO2衬底以及在该衬底上依次生长的低温保护层、U-AlGaN层和高温U-GaN层。其制备方法包括如下步骤：步骤一，生长低温保护层：在MOCVD系统中，以LiAlO2(100)面做衬底，在N2保护下，升温到800-950℃；切换到氢气气氛生长低温保护层U-GaN，反应室压力为150-500torr，TMGa流量为1-50sccm；步骤二，生长U-AlGaN层：降低反应室压力至100-300torr，升温到1000-1100℃，生长U-AlGaN层，TMGa流量为10-150sccm，TMAl的摩尔流量与TMGa流量之比为1/5-2；步骤三，生长高温U-GaN层：停止通入TMAl，继续生长U-GaN。本发明可以有效改善(100)面铝酸锂(LiAlO2)衬底上非极性m(10-10)面GaN薄膜的表面形貌，有利于提高器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN101345280A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042185.7
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基发光二极管及其制造方法，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为2000～4000，形成透明导电层，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出，步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻。该方法在现有技术的基础上，将透明导电层进行进一步加工，制造成具有类光子晶体的微结构，大大提高了发光二极管的出光效率，有效的提升了发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN101343733A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204756700U
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201520422143.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/10 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21V17/12 , F21W101/10 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型提供的LED前照灯，具有这样的特征，包括：视圈，具有通孔；反射器，与通孔形状相同，外侧镶嵌通孔内；散热器支架，外侧贴合在反射器的背部；线路板，一侧贴合在散热器支架的内侧，与散热器支架相固定；发光器件，贴合在线路板的另一侧，与线路板相连接；以及连接支架，一侧盖在视圈的后侧，将反射器、散热器支架包裹在视圈内，与反射器、散热器支架分别相连接；以及散热器，设置在连接支架的另一侧，固定在反射器上，与散热支架相连接，其中，通孔根据反射器的出光面外形确定。
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公开(公告)号：CN201429463Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920077654.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: G01J1/00 , G01J1/42 , G01M11/02 , G01R31/44 , F21Y101/02
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试装置，包括被测LED灯具，其在灯具发光面侧相向设置一大面积矩阵型流明光电探测器，在各光电探测器背面设置温度传感器，各个光电探测器的光电输出信号端以及各温度传感器的温度信号输出端与多路模/数转换电路的信号输入端分别对应连接，设置一高精度数字化电源，其功率输出端与被测LED灯具连接，其信号输出端与计算机连接，多路模/数转换电路信号输出端与计算机连接。本装置可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，可实现对不同口径甚至巨大尺寸、窗口形状各异的各种LED灯具相关技术参数的测量，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN211267802U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201921313706.8
申请日：2019-08-14
Applicant: 上海畅响自动化技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海沃彬智能科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种间距可调的多层栽培支架，包括支架、液压杆、滑道、剪刀式升降框，两个剪刀式升降框之间设置有多个托板，托板的左右两侧设置有连接杆，连接杆固定连接在剪刀式升降框的支点上，延伸在剪刀式升降框的外侧固定连接有滑块，支架的上方设置有横板，横板的下表面固定连接有竖杆，支架上设置有水管，水管上连接有支管，支管上设置有喷头，两两剪刀式升降框的上端固定连接有支撑框，托板内设置有栽培槽，托板的前后两端的边缘通过铰链活动连接有挡板，栽培槽左、右两侧设置有滑轮，托板内设置有弧形槽，托板的左右两侧固定连接有限位块，支架上设置有限位槽。
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公开(公告)号：CN209419952U
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201821939234.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B33/08
Abstract: 本实用新型公开了一种基于PWM的恒流调光驱动电路，属于LED调光技术领域，包括驱动电源模块、通信模块和调光模块；驱动电源模块包括EMI滤波电路、PFC电路和降压恒流输出电路；调光模块包括MCU、LED灯串和调光电路，解决了为LED输出恒定的驱动电流，不仅能使得LED负载安全稳定的工作，而且还能利用脉宽调制技术精确控制流过LED灯串的电流的技术问题；用PWM调光从零到最光，都不会有闪烁的现象，不管调光程度有多大，允许LED一直在优化的和恒定的电流下工作，性能更高，调光输出功率采用了功率因数校正电路，不会牺牲功率因数而且能够降低电路的复杂性，使电路设计更加方便，成本降低。
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公开(公告)号：CN204730067U
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201520371860.6
申请日：2015-06-02
Applicant: 上海理工大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: F21S8/10 , F21V7/04 , F21V23/00 , F21W101/02 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S41/147 , F21S41/336 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12
Abstract: 本实用新型涉及一种远近光一体的汽车前照灯,包括光源、自由曲面反射器、光源驱动电路、光源支架和散热器，光源由近光LED阵列和远光LED阵列组成，通过光源驱动电路分别控制近光LED阵列(2-1)和远光LED阵列(2-2)的通电与断电，调整各LED的驱动功率；自由曲面反射器的反射曲面由多个自由曲面组成，自由曲面反射器的反射面分为两个区域：主反射区和辅助反射区，主反射区用于反射近光LED阵列或远光LED阵列发出的光，分别产生符合前照灯照明标准的近光或远光照明，辅助反射区位于主反射区上方，用于将光源发出的光反射到汽车前方距离较近的路面和道路两侧区域。与传统光源汽车前照灯相比，功耗降低65%以上，节能效果明显。
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