公开(公告)号：CN118265292A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311342424.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇 ,  玄昇潭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN114141815A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110648296.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置以及该存储器件的制造方法，其中该存储器件可以包括：绝缘结构，包括第一表面和在第一方向上从第一表面突出的突起部分；记录材料层，在绝缘结构上并沿着突起部分的突出表面延伸以覆盖突起部分并且延伸到绝缘结构的第一表面上；沟道层，在记录材料层上并沿着记录材料层的表面延伸；栅极绝缘层，在沟道层上；以及栅电极，形成在栅极绝缘层上在面对绝缘结构的第二表面的位置。绝缘结构的第二表面可以是突起部分的突出的上表面。

公开(公告)号：CN114079006A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110930323.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金度润 ,  金裕珉 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供一种可变电阻存储器件以及包括该可变电阻存储器件的电子器件。该可变电阻存储器件包括可变电阻层以及在可变电阻层上彼此间隔开的第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层包括三元或以上的金属氧化物，该三元或以上的金属氧化物包含具有不同化合价的两种或更多种金属材料。第二层可以包括硅氧化物。可变电阻存储器件可以由于在其中容易形成氧空位的金属氧化物而具有宽范围的电阻变化。第一导电元件和第二导电元件可以被配置为响应于所施加的电压而在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。

公开(公告)号：CN113964131A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110811914.6

申请日：2021-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真弘 ,  金世润 ,  曹永真

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。非易失性存储器件的每个存储单元串包括：在第一方向上延伸的半导体层；在第一方向上交替地布置的多个栅极和多个绝缘体；在所述多个栅极与半导体层之间以及在所述多个绝缘体和半导体层之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层；以及在半导体层的表面上在第一方向上延伸的电阻变化层。电阻变化层包括包含半导体层的半导体材料和过渡金属氧化物的混合物的金属半导体氧化物。

公开(公告)号：CN113130508A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010805334.1

申请日：2020-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  尹政昊 ,  金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/24 ,  G11C16/04

Abstract: 公开了一种垂直非易失性存储器件，其包括使用电阻变化材料的存储单元串。该非易失性存储器件的每个存储单元串包括：半导体层，在第一方向上延伸并具有与第二表面相反的第一表面；多个栅极和多个绝缘体，在第一方向上交替地布置并在垂直于第一方向的第二方向上延伸；栅极绝缘层，在所述多个栅极与半导体层的第一表面之间以及在所述多个绝缘体与半导体层的第一表面之间沿第一方向延伸；以及电介质膜，在半导体层的第二表面上沿第一方向延伸并具有分布在其中的多个可移动的氧空位。

公开(公告)号：CN113054099A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011549731.3

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  金真弘 ,  水崎壮一郎 ,  尹政昊 ,  曹永真

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。

公开(公告)号：CN107025951B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610851003.5

申请日：2016-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  卢钟旭 ,  李宇镇 ,  李钟敏 ,  丁度源 ,  黄成宇 ,  郭灿

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。

公开(公告)号：CN105280269B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN103514975B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201310262888.1

申请日：2013-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池尚洙 ,  金奭埈 ,  李殷成 ,  金世润 ,  朴辰晚

IPC: H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供导电糊、电极、电子装置和太阳能电池。所述导电糊可包括导电粉末、金属玻璃、包括能够与所述金属玻璃形成固溶体的元素的金属或半金属前体、和有机媒介物，且所述电子装置和所述太阳能电池可包括使用所述导电糊形成的电极。

公开(公告)号：CN106961751A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611130231.X

申请日：2016-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  水崎壮一郎 ,  高行德 ,  金度润 ,  金夏辰 ,  李昌洙 ,  韩仁泽

IPC: H05B3/14

CPC classification number: H05B3/141

Abstract: 提供包括纳米材料填料的加热元件、其制造方法和包括其的设备。所述加热元件包括基体材料和纳米材料型的填料。所述纳米材料型的填料可为纳米片填料或者纳米棒填料。所述纳米片填料可具有大于给定值例如1,250S/m的电导率。所述填料可包括如下的至少一种或至少两种：氧化物、硼化物、碳化物、和硫属化物。所述基体材料可为玻璃粉。所述玻璃粉可为例如氧化硅或者添加了添加剂的氧化硅。