半导体器件
    42.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115566049A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210506337.4

    申请日:2022-05-10

    Abstract: 一种半导体器件包括:有源图案,在衬底上;多个源/漏图案,在有源图案上沿第一方向布置;第一沟道结构,在源/漏图案中的一对源/漏图案之间;第二沟道结构,在源/漏图案中的另一对源/漏图案之间;第一栅电极,与第一沟道结构相交并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸;以及第二栅电极,与第二沟道结构相交并且在第二方向上延伸。第一栅电极包括在第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分,并且第二栅电极包括在第二沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分。第二栅电极的第一部分的厚度大于第一栅电极的第一部分的厚度。

    垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法

    公开(公告)号:CN113299752A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110135744.4

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件和制造其的方法。该方法包括:提供中间VFET结构,包括衬底和在衬底上的鳍结构、栅极结构和底部外延层,栅极结构分别形成在鳍结构和底部外延层上,每个鳍结构包括鳍和其上的掩模;在栅极结构之间及其侧面填充层间电介质(ILD)层;分别在ILD层上形成ILD保护层,ILD保护层具有上部和下部并包括防止ILD层处的氧化物损失的材料;去除在ILD保护层的下部上方的鳍结构、栅极结构和ILD保护层;去除鳍结构的掩模和栅极结构的顶部,使得去除之后的鳍结构的顶表面和栅极结构的顶表面低于ILD层的顶表面;在其顶部被去除的栅极结构上形成顶部间隔物并且在其掩模被去除的鳍结构上形成顶部外延层;以及形成连接到顶部外延层的接触结构。

    指纹传感器及其操作方法
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110046539A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201811633573.2

    申请日:2018-12-29

    Abstract: 指纹传感器包括指纹像素,指纹像素基于第一电压检测用户指纹的指纹电容,并通过第一节点输出与检测到的指纹电容相对应的指纹信息。电压转换电路将通过第一节点接收的指纹信息转换为基于低于第一电压的第二电压的信号,并输出转换后的信号。模拟电路通过使用第二电压基于转换后的信号输出输出信号。

    电源系统和具有该系统的液晶显示器件

    公开(公告)号:CN1624534A

    公开(公告)日:2005-06-08

    申请号:CN200410010417.2

    申请日:2004-10-18

    CPC classification number: H05B41/36 H05B41/2853 Y02B20/186 Y10T307/74

    Abstract: 一种电源系统,具有:电源单元,产生电源电压信号;电压控制器,响应于电源电压信号和灯泡亮启/熄灭信号而产生第一电源控制信号;逆变器控制器,响应于第一电源控制信号而被驱动;逆变器,响应于从逆变器控制器施加的控制信号而驱动灯泡。第一电源控制信号防止逆变器截止。电压控制器包括:比较器,将比较电压信号和基准信号进行比较;开关单元,响应于灯泡亮启/熄灭信号和比较器的输出信号而接通或截止;以及恒压发生器,提供恒压信号作为第一电源控制信号至逆变器控制器。一种液晶显示器件,包括定时控制器,选通和数据驱动器,显示面板,灯泡单元,以及提供电源给灯泡单元的电源系统。

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