公开(公告)号：CN102544032A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110167180.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227

Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。

公开(公告)号：CN102067319A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980119801.7

申请日：2009-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693

Abstract: 提供一种氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体包含Zn、In及Hf，在Zn、In及Hf原子的总数量中，Hf原子数量的组成比为2～16at％。

公开(公告)号：CN101527318A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200810179474.1

申请日：2008-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴永洙 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。