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公开(公告)号：CN118213339A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311314989.9
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体芯片，包括半导体集成电路；以及冷却通道，冷却通道包括：在半导体芯片内部的至少第一部分；壁表面，包括配置为产生导致液态冷却剂在冷却通道中流动的毛细力的精细图案；液体通道区域，在冷却通道的其中形成精细图案的第一区域中并被配置为使液态冷却剂通过；以及气体通道区域，在冷却通道的其中没有形成精细图案的第二区域中并被配置为使气态冷却剂通过。
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公开(公告)号：CN117672945A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202310814503.1
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L33/00
Abstract: 本公开涉及一种微型半导体芯片的巨量转移方法和巨量转移设备。该巨量转移多个微型半导体芯片的方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板上，使得它们设置在第一基板的多个第一凹槽中；确定是否存在空的第一凹槽；以及将第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中，其中该定位可以包括将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上；以及利用静电力或电磁力从第二基板吸附第二微型半导体芯片并将吸附的第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中。
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公开(公告)号：CN117352601A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310450252.3
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种芯片湿式转移装置，包括被配置为将大量微型半导体芯片施加给转移基板的第一芯片施加模块、被配置为将大量微型半导体芯片排列在多个凹槽中的第一芯片排列模块、被配置为施加少量微型半导体芯片的第二芯片施加模块、以及被配置为排列少量微型半导体芯片的第二芯片排列模块。
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公开(公告)号：CN116053376A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210812814.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种微型发光器件和包括其的显示装置。该微型发光器件包括：掺有具有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上并掺有具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二杂质的第二半导体层；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层的第一电极；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层的第二电极；以及布置在第一半导体层的下表面上并具有平坦表面的铝氮化物层。
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公开(公告)号：CN116031342A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210895487.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光器件、包括该发光器件的显示装置以及制造该发光器件的方法。该发光器件包括：发光单元，包括布置在上表面上以彼此分开的第一电极和第二电极；延伸层，发光单元嵌入在该延伸层中并且该延伸层具有比发光单元的宽度大的宽度；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在延伸层的上表面上以彼此分开并且分别电连接到第一电极和第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115939278A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210661382.7
申请日：2022-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。
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公开(公告)号：CN115210884A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202280002438.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15
Abstract: 根据一实施方式的一方面，提供一种微型半导体芯片转移基板，该微型半导体芯片转移基板包括：模具，包括形成为从上表面以一定深度凹入的多个凹陷；以及表面能降低图案，在上表面上形成在所述多个凹陷之间的区域中，该表面能降低图案包括多个不平坦图案。当通过湿对准方法对准微型半导体芯片时，通过这样的表面能降低图案，可以改善微型半导体芯片朝向凹陷的内部的滑动。
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公开(公告)号：CN114695235A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111515697.2
申请日：2021-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供了显示转移结构、显示装置以及电子设备。一种显示转移结构包括：转移基板，包括多个凹陷，所述多个凹陷中的每个包括具有预定物体能够在其中移动的空间的第一捕集部和连接到第一捕集部并具有该物体能够安置在其中的形状和尺寸的第二捕集部；以及位于第二捕集部中的微型半导体芯片。微型半导体芯片可以通过该显示转移结构被自对准在正确位置。
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公开(公告)号：CN114628428A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110982669.5
申请日：2021-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种微半导体芯片湿对准装置。该微半导体芯片湿对准装置包括：半导体芯片湿供应模块，配置为将多个微半导体芯片和液体供应到转移基板上，使得所述多个微半导体芯片可在转移基板上流动；以及包括吸收体芯片对准模块，吸收体能够沿着转移基板的表面相对移动并配置为吸收液体，使得所述多个微半导体芯片对准在多个凹槽中。
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公开(公告)号：CN114256396A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110900460.X
申请日：2021-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种微型发光器件、包括其的显示装置以及制造该微型发光器件的方法。该微型发光器件包括：第一类型半导体层；提供在第一类型半导体层上的发光层；提供在发光层上的第二类型半导体层；提供在第二类型半导体层上的一个或更多个第一类型电极；提供在第二类型半导体层上并与所述一个或更多个第一类型电极间隔开的一个或更多个第二类型电极；以及提供在所述一个或更多个第一类型电极与所述一个或更多个第二类型电极之间的接合扩散防止部分。
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