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公开(公告)号：CN112635457A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011062004.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392
Abstract: 一种半导体装置，包括：器件层，其包括第一有源图案和第二有源图案以及多个栅电极，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且彼此相邻，多个栅电极在衬底上在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且与第一有源图案和第二有源图案交叉；下布线层，其位于器件层上，并且包括第一下布线图案和第二下布线图案，第一下布线图案和第二下布线图案在第一方向上延伸，分别位于第一有源图案和第二有源图案上，并且连接到多个栅电极；以及上布线层，其位于下布线层上，并且具有分别位于第一下布线图案和第二下布线图案上的第一上过孔和第二上过孔以及在第二方向上延伸的第一上布线图案和第二上布线图案。第一上布线图案连接到第一上过孔，而不连接到第二上过孔，第二上布线图案连接到第二上过孔，而不连接到第一上过孔。
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公开(公告)号：CN111490044A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911239542.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一组有源鳍和第一扩散防止图案。第一组有源鳍在第二方向上彼此间隔开，并且第一组有源鳍中的每一个在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上沿与第二方向不同的第一方向延伸。第一扩散防止图案沿第二方向在衬底的第一区域上延伸穿过第一组有源鳍。第一组有源鳍包括第一有源鳍和第二有源鳍。第一扩散防止图案延伸穿过第一有源鳍在第一方向上的中央部分以划分第一有源鳍，并且延伸穿过并接触第二有源鳍在第一方向上的端部。
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公开(公告)号：CN110518009A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910383239.4
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/535 , G06F17/50
Abstract: 本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
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公开(公告)号：CN109616470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304624B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510434904.X
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN107039417A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611023256.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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公开(公告)号：CN119730388A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411693695.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN119730387A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411693677.8
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN119451215A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410292136.8
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768 , H10D84/03
Abstract: 一种集成电路，包括：标准单元，该标准单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管中的每一个设置在衬底的正面上；背面过孔，沿相对于衬底的竖直方向穿过衬底；背面布线层，包括背面电力轨，背面电力轨设置在衬底的背面上并且通过背面过孔与第一晶体管的第一源/漏极连接；以及背面接触部，在标准单元与背面布线层之间沿第一方向延伸，并且将第一晶体管的第二源/漏极与第二晶体管的第一源/漏极电连接，其中，背面接触部的底部水平不同于背面电力轨的顶部水平，并且背面接触部与背面电力轨电绝缘。
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