公开(公告)号：CN107123734A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710089322.1

申请日：2017-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  朴淳五 ,  朴正熙 ,  安东浩 ,  堀井秀树

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/00 ,  H01L45/122 ,  H01L45/16

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。

公开(公告)号：CN107104182A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710071151.X

申请日：2017-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  安东浩 ,  堀井秀树 ,  朴正熙

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括第一电极层和在第一电极层上的选择器件层。选择器件层包括通过将硼和碳中至少一种掺杂进硫族化物开关材料中所获得的第一硫族化物材料。第二电极层在选择器件层上。可变电阻层在第二电极层上。可变电阻层包括包含至少一种与硫族化物开关材料不同的元素的第二硫族化物材料。第三电极层在可变电阻层上。

公开(公告)号：CN101794735A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910259030.3

申请日：2009-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  安亨根 ,  吴圭焕 ,  安东浩 ,  李琎一

IPC: H01L21/8229 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。

公开(公告)号：CN101667622A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910205722.X

申请日：2009-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣国 ,  安东浩 ,  朴美林

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件。相变存储器器件可以通过以下步骤来制造：在衬底上形成第一电极以及在该第一电极上形成硫族化物材料。对硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子体物质。第二电极形成在该硫族化物材料上。对相关器件也进行了描述。