-
公开(公告)号：CN105734667A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410768157.9
申请日：2014-12-12
申请人： 瑞科硅公司
发明人： 布赖恩·约瑟夫·洛什恩 , 卡塞伊·M·凯利
CPC分类号： C23C16/46 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/4418
摘要： 本发明公开了带有细丝夹持组件的化学气相沉积反应器。在西门子型反应器的反应仓室中，通过化学气相沉积形成多晶硅晶体棒。细丝夹持组件将竖直延伸的细丝紧固到沿着所述反应器的底面放置的电极上。细丝夹持组件包括安装在电极上并具有向上逐渐变细的侧表面的卡盘支撑元件。将卡盘安置在所述卡盘支撑元件上，使所述卡盘支撑元件的至少一部分被接纳在所述卡盘的底部中限定的腔内，并使所述卡盘支撑元件的侧表面与限定了所述腔的表面啮合。所述腔的尺寸和形状被制造成在所述卡盘支撑元件的远端与所述腔的末端壁表面之间限定有间隙。所述卡盘具有向上开口的插孔，其接纳并夹持向上延伸的细丝的末端部分。
-
公开(公告)号：CN105329899A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410461386.6
申请日：2014-09-11
申请人： 瑞科硅公司
发明人： E·韦恩·奥斯本 , 马修·J·米勒 , 迈克尔·V·斯潘格勒 , 格拉尔德·A·泽宁戈尔 , 威廉姆·J·昂斯托特 , 沃尔特·J·施图平
IPC分类号： C01B33/027 , B01J8/24 , C04B35/565 , C04B35/63
CPC分类号： B01J8/1872 , B01J8/1818 , B01J8/1836 , B01J19/02 , B01J2208/00008 , B01J2208/00168 , B01J2208/00407 , B01J2208/00761 , B01J2208/00796 , B01J2219/0263 , B01J2219/029 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01B33/03 , F27B15/06 , F27D1/0006 , F27D1/045
摘要： 本发明公开了分段碳化硅衬，特别是在用于生产多晶硅覆层的颗粒材料的流化床反应器中使用的分段碳化硅衬，以及制造和使用所述分段碳化硅衬的方法。还公开了用于联结碳化硅区段的无污染粘合材料。一个或多个所述碳化硅区段可以由反应粘合的碳化硅构造而成。
-
公开(公告)号：CN102271797B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080004317.2
申请日：2010-01-11
申请人： 瑞科硅公司
发明人： 迈克尔·V·斯潘格勒 , 格伦·斯图基
IPC分类号： B01J8/18 , C01B33/027
CPC分类号： B01J8/34 , B01J8/1836 , B01J2208/00132 , B01J2208/0084 , C01B33/027
摘要： 在流化床反应器中，在腔室内部通过在种子粒子上进行化学气相沉积生产硅粒。腔室含有阻挡构件或泡分裂器，阻挡构件或泡分裂器的尺寸和形状被设计成能限制腔室内部的气泡的生长，并且阻挡构件或泡分裂器具有内部通道，加热流体通过所述内部通道通过，以将热量传递给腔室内部的气体。
-
公开(公告)号：CN104470851A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201480000480.X
申请日：2014-04-02
申请人： 瑞科硅公司
IPC分类号： C01B33/08 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/1071 , Y02E60/324
摘要： 本发明公开减少氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。向四氯化硅工艺流中添加足量的氢以抑制氯化铁(II)形成和减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合。还可以向所述四氯化硅工艺流中添加三氯硅烷。
-
公开(公告)号：CN104024158A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380003725.X
申请日：2013-07-17
申请人： 瑞科硅公司
发明人： 罗伯特·J·格尔特森
IPC分类号： C01B33/037 , C01B33/04 , B01J19/24
CPC分类号： C01B33/126 , B01J8/18 , B01J19/02 , B01J2208/00707 , B01J2219/0245 , C01B33/027 , Y10T137/0318
摘要： 本发明公开一种减少或减轻多晶硅金属污染的方法和系统。通过利用包含微孔状弹性体聚氨酯的保护层减轻粒状多晶硅因与流化床反应器单元的支撑型运输和辅助基础结构的组件的金属表面接触所致的金属污染。
-
-
公开(公告)号：CN102083751A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980118728.1
申请日：2009-05-20
申请人： 瑞科硅公司
发明人： 弗朗茨·雨果
IPC分类号： C01B33/027 , C01B33/021 , B01J19/08 , H05H1/02
CPC分类号： H05H1/50 , B01J19/088 , B01J2219/0009 , B01J2219/00135 , B01J2219/0871 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , C01B33/027
摘要： 本发明公开一种制造硅或活性金属的方法，所述方法包括：将含硅进料或含活性金属的进料引入至反应室内，其中所述反应室包括反应室壁，所述反应室壁具有(i)面对反应空间的内表面和(ii)相反的外表面；在所述反应空间内产生足以产生液体硅产物或液体活性金属产物的第一热能；在所述反应室壁外部产生第二热能，使得来自所述第二热能的热流开始冲击所述反应室壁的外表面；以及通过控制所述第一热能源和所述第二热能源而将所述内表面的壁温设置在所述硅或所述活性金属的熔点温度以上或以下的温度范围内。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
47 条记录 (耗时 0.037 秒)
