公开(公告)号：CN109975627A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711456524.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 ,  上海芯哲微电子科技股份有限公司 ,  上海北京大学微电子研究院

Inventor： 沈立 ,  陆宇 ,  周润宝 ,  沈金龙 ,  程玉华

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。

公开(公告)号：CN109145332A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710499616.1

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种新型的包含考虑电子产品封装的电、热及力学特性的协同环境。其特征在于在集总的设计平台上提供了对电子产品封装的电、热、力学特性的全面、准确以及可重构的设计参数和性能、功能预测。通过协同考虑封装、热及力学特性对产品性能的作用，在产品的设计阶段，可以根据设计成本、实现的复杂度等方面考虑从产品核心设计优化、封装优化、热优化、及力学设计优化来优化产品性能。这样一方面保证产品性能的低成本的实现，另外提供了多个设计的自由度，降低了实现性能的复杂度，最重要的是在产品设计阶段能准确评估产品性能的预期，减少了设计迭代。

公开(公告)号：CN109145324A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710488909.X

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。

公开(公告)号：CN109144155A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710488908.5

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F1/561

Abstract: 本发明提供了多基准电压发生电路，以提高基准电压的稳定性，其中所述基准电压发生电路，包括多基准电压发生结构，此外还包括用于接收外部电源的电压，并输出电压提供给所述发生结构的电源结构；该发生电路还可以包括负反馈电路，其中所述负反馈电路包括：采集模块，用于采集所述电源结构输出的电压的波动；放大模块，连接至采集模块，用于放大采集模块采集到的波动；负反馈模块，用于将放大模块放大的波动负反馈到所述电源结构，以减小所述电源结构后续输出电压的波动。

公开(公告)号：CN109143010A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201710490920.X

申请日：2017-06-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2601 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法，以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真，在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数，并将仿真结果和实测值进行对比，取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值；该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。

公开(公告)号：CN109121242A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201710491284.2

申请日：2017-06-26

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 李高林

IPC: H05B33/08

Abstract: 本发明提供了LED驱动电源及其功率管的开启方法，以解决EMI等问题，其中LED驱动电源，包括功率管控制器、功率管及压降器，所述压降器与功率管串联，流出功率管的电流流入压降器，其特征在于，所述功率管控制器，具体包括：功率管电流采集模块，用于采集流过功率管的电流；功率管开启模块，用于在所述采集模块采集到的电流为零时，启动功率管；功率管关闭模块，用于在所述压降器上的压降达到预定值时，关闭功率管。

公开(公告)号：CN109117487A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201710492493.9

申请日：2017-06-26

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真模型（图1）。其特点是：由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于：能较快找到符合要求终端的大致结构，等效结构简单，仿真程序简单，仿真速度快，节约时间成本。非90度角Trench器件的终端，某一深度的横向崩溃电压，亦可由此模型模拟，此时，等效模型中的PN结宽度由该深度下器件的Trench宽度与距离确定。

公开(公告)号：CN109116210A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201710491285.7

申请日：2017-06-26

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/2856

Abstract: 本发明提出了一种高压环境对标准单元库影响的测试方法，考虑到SOI低压与高压器件共存的工作环境，该方法通过测量被测单元的延迟和信号的波动，实现对高压环境下，单元工作情况的检测。通过设置高压器件与低压器件的多种距离，以及通过缓冲器设置高压器件的开启时刻，测试高压环境对测试单元的不同种类的影响。在测试芯片中添加选择器来减少PAD的个数，达到了减少芯片面积的目的。

公开(公告)号：CN109103244A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710467623.3

申请日：2017-06-20

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 沈立

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，涉及半导体600V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。

公开(公告)号：CN108666292A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710189091.1

申请日：2017-03-27

Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司

Inventor： 陆宇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16237

Abstract: 本发明公开一种覆晶封装结构，包括一封装的半导体晶片，其特点是表面具有复数个以一定间隙排列的金属突块，所述突块为圆柱形，系用铝材料制成；一材料为硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）的封装基板，其特点是基板上表面做出众多与突块对应的圆柱形凹陷，其底部有一定厚度的铝焊点；晶片通过复数个导电突块覆晶结合于凹陷内的突块。本发明通过预先形成的凹槽可隔绝焊接时突块间的连接，防止短路；由于所选基板材料与铝突块具有接近的熔点，通过再流动工艺可减少晶片与基板间孔洞的产生。