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公开(公告)号：CN206282823U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621370548.6
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L21/762
Abstract: 本实用新型提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，包括：一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；位于所述顶层硅上表面及氧化层上方的氮化硅掩膜层，其中，所述氮化硅掩膜层表面形成有暴露所述氧化层的六边形腐蚀槽阵列；位于所述氮化硅掩膜层下表面的硅纳米线阵列；位于所述氮化硅掩膜层上表面且与所述硅纳米线阵列位置对应的栅极；以及位于所述氮化硅掩膜层上表面的源极和漏极，其中，所述源极和漏极之间设置有至少一条暴露所述氧化层的隔离沟道。通过本实用新型提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。
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公开(公告)号：CN206618429U
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201720030919.4
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于温度调节性能的石墨烯仿生光探测器，包括：微加热器平台；石墨烯，位于所述微加热器平台上；活性薄膜，形成于所述石墨烯的表面；光受体蛋白，形成于所述活性薄膜上。本实用新型通过采用悬膜式的加热结构连接石墨烯，并在石墨烯表面修饰光受体蛋白，一方面采用光受体蛋白实现波长选择性，提高光吸收率；另一方面采用悬膜式加热结构，减少衬底对石墨烯性能的影响，更可以通过加热电压来调节工作温度，从而调节光生载流子迁移率和浓度，以提高光探测器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207967050U
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201721869324.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种SiC热电堆型高温热流传感器，包括：硅衬底，具有第一表面和第二表面，在第一表面上设有沟槽以及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于硅衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域位置的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本实用新型采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208270086U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201721869225.6
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本实用新型采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN207490105U
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201721007696.6
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本实用新型的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制；电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的环境。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205091287U
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201520894592.6
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器，包括：微加热器平台衬底及硫掺杂石墨烯；所述微加热器平台衬底上设有测试电极及加热器；所述硫掺杂石墨烯至少覆盖所述测试电极。本实用新型的基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器可采用圆片级衬底，实现圆片级制备，达到批量制造的水平，大大降低生产成本；本实用新型的基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器对氮氧化物气体分子具有较高的灵敏度和选择性，可有效降低水蒸气等其它气体对检测的影响，提高检测的精确度。
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公开(公告)号：CN2569170Y
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02216985.7
申请日：2002-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本实用新型涉及一种微机械光开关，属于微机械领域。其特征在于(1)上、下两电极分别位于二个形状相似的二个外框架内，含上电极的上外框架放在另一外框架上面，彼此由绝缘氧化物层绝缘；(2)4个V型槽位于上电极所在的外框架的上表面，它们与镜子均呈45度角；扭转梁通过扭转梁固定点固定于外框架底部，扭转梁和可动上电极相连；镜子竖直位于可动上电极的前端；(3)下电极固定在低于外框架的表面的平面面上，形成一个空间。当上外框架叠在其上并施加电压时，上、下电极间产生电压差，使上电极受到向下运动的力带动扭转梁产生扭力使镜子向下移动，处于“开”状态。因而具有驱动电压低、镜子位移大、结构的谐振频率高特点，使开关速度达十分之一毫秒量级。
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