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公开(公告)号：CN104988499A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510427737.6
申请日：2015-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种透明的快速响应的柔性电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备柔性电致变色薄膜的设备昂贵，试验条件苛刻繁琐和柔性电致变色薄膜受力后易发生应变、断裂及与基体分离的问题。制备方法：一、制备清洁的柔性基底；二、制备Ag层；三、制备混合溶液B；四、制备H2WO4·H2O/PEDOT薄膜，得到透明的快速响应的柔性电致变色薄膜。本发明得到的透明的快速响应的柔性电致变色薄膜导电性好，响应时间短，退色时间为2s～4s，着色时间为3s～5s。本发明可获得一种透明的快速响应的柔性电致变色薄膜。
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公开(公告)号：CN104932169A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510427775.1
申请日：2015-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G02F1/155 , C23C14/20 , C23C14/35 , G02F2001/1552 , G02F2001/1555
Abstract: 一种快速响应的柔性电致变色器件及其应用，它涉及一种电致变色器件及其应用。本发明的目的是要解决现有存在的柔性器件的材料制备方法和柔性器件组装技术不成熟的问题。一种快速响应的柔性电致变色器件包括：工作电极、对电极和电解质层，其中工作电极为透明的快速响应的柔性电致变色薄膜；对电极为PET-ITO；电解质层处于工作电极和对电极之间；快速响应的柔性电致变色器件边缘使用树脂进行封装。一种快速响应的柔性电致变色器件作为可穿戴电子产品在智能电子产品领域应用。本发明一种快速响应的柔性电致变色器件响应时间短，退色时间为4s～6s，着色时间为8s～10s。本发明可获得一种快速响应的柔性电致变色器件。
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公开(公告)号：CN103162857B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310041124.X
申请日：2013-02-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/12
Abstract: 一种光子晶体温度传感器及其制备方法，它涉及一种简易的传感器及其制备方法，本发明要解决现有传感器存在的仅能够输出信号、无法调控或反作用于输出信号的问题，本发明的光子晶体温度传感器是由水凝胶和单分散微球复合而成；方法为：利用原位聚合法，在光子晶体上生长凝胶，得到光子晶体/智能水凝胶复合体系，将产物制成块状或涂覆在基底上，即得。本发明制备的简易的光子晶体温度传感器，不但可以有效快速的显示测定区域的温度情况，而且可以对温度场进行响应，调控入射光强度，有效减缓升温速率乃至降低测定区域的温度。
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公开(公告)号：CN104835964A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510245973.6
申请日：2015-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/136 , H01M4/1397
CPC classification number: H01M4/62 , H01M4/136 , H01M4/1397
Abstract: 一种三维大孔石墨烯-碳纳米管-二硫化钼复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及纳米复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有二硫化钼作为锂离子电池负极活性物质稳定性差和首次循环效率过低的问题。方法：一、制备三维大孔石墨烯/泡沫金属复合物；二、制备三维大孔石墨烯/碳纳米管/泡沫金属复合物；三、制备三维大孔石墨烯/碳纳米管；四、水热法负载二硫化钼；五、退火负载有二硫化钼的三维大孔石墨烯/碳纳米管，即得到三维大孔石墨烯-碳纳米管-二硫化钼复合材料。本发明用于三维大孔石墨烯-碳纳米管-二硫化钼复合材料及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN103290474B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310244240.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种锗纳米管的制备方法，本发明涉及锗纳米管的制备方法。本发明要解决现有制备方法无法制备出纳米管长度以及和壁厚形貌可控制的锗纳米管的技术问题。方法：一、制备工作电极；二、制备电解液；三、还原锗；四、去除聚碳酸酯多孔膜。本发明提供的锗纳米管的制备方法，实现了常温下制备半导体锗纳米管，离子液体可回收利用，工艺简单，操作方便，对环境友好，安全性高。本发明用于制备锗纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102864473B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210404116.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；三、使用三电极的电解池，用恒电势法进行电沉积硅或锗；四、取出电解池中的电解液，干燥，滴加偶联剂三乙基氯硅烷浸泡；五、拆卸电解池，滴加四氢呋喃，清洗，干燥，即得到三维有序大孔硅或锗薄膜。本发明的方法无需复杂设备，操作简便，室温即可实现，能耗低。用于锂离子电池的负极材料领域。
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公开(公告)号：CN104693469A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510122775.0
申请日：2015-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08J7/04 , C08L79/08 , C09D125/14 , C09D7/12
Abstract: 本发明涉及一种高度有序的柔性聚合物胶体晶体薄膜及其制备方法，所述的胶体晶体薄膜是以聚酰亚胺涂布的基片为基础，通过加入含有交联剂的单分散胶体微球乳液制备得到。该方法简单、快速、成本低，成功率高。聚酰亚胺薄膜表面制备的聚合物胶体晶体薄膜面积可达到厘米级无缺陷，反射率高，机械强度高。可用于生物化学传感器、太阳能电池、光学仪器等多个领域。
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公开(公告)号：CN104650123A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510079181.6
申请日：2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C07F3/06 , C09K9/02 , C09K11/06 , C09K2211/188
Abstract: 一种有机-金属薄膜的制备方法，涉及一种有机-金属薄膜的制备方法。本发明是要解决目前制备有机-金属薄膜的方法中存在合成物质以粉体为主，难以产生致密的薄膜、薄膜厚度较难统一，均匀性不好、步骤繁琐，薄膜生长周期较长和生产成本较高的技术问题。本发明的一种有机-金属薄膜的制备方法是按以下步骤进行的：一、混合样品；二、水热法；三、制备薄膜。本发明的优点：本发明采用的原理为水热合成的方法，利用高温反应得到过饱和溶液，然后用喷涂或旋涂的方法得到薄膜；本发明的方法制备的薄膜厚度均一可控，表面光滑，并对其进行荧光和循环伏安的测试，发现此薄膜具有良好的荧光性能，且具有一定的电化学性能，如通电变色或通电发光。
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公开(公告)号：CN104528828A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410728311.X
申请日：2014-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G39/02
CPC classification number: C01G39/02 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2006/40
Abstract: 一种氧化钼电致变色薄膜的制备方法，本发明涉及一种电致变色薄膜的制备方法，它为了解决现有氧化钼薄膜的制备方法复杂，以及稳定性和透过率不好的问题。制备方法：一、将钼酸钠固体粉末溶于超纯水中，得到钼酸钠溶液，通过稀硝酸调节体系的pH值至1～7，得到含有钼酸钠和硝酸的混合溶液；二、以90～200℃的温度反应2～36h后过滤收集氧化钼粉末，冲洗、干燥后热处理，得到热处理后的氧化钼粉末；三、氧化钼粉末再超声分散在超纯水中，滴加在基底上干燥得到氧化钼薄膜。本发明采用水热法制备得到了强亲水性的氧化钼粉末，薄膜的制备方法简单易行，经过50～200℃热处理后，薄膜不脱落，透过率良好。
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公开(公告)号：CN104292487A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410421364.7
申请日：2014-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种表面抗静电的聚酰亚胺/石墨烯复合薄膜的制备方法。以二酐、二胺为原料制备聚酰胺酸薄膜，以石墨为原料制得氧化石墨烯溶液，经过旋涂并且加热得到聚酰亚胺/石墨烯复合薄膜。此方法简单，易于操作，成本低。所制得的薄膜厚度可调，表面平整，抗静电性能显著提高且整体绝缘性及力学性能优良。可应用于化工产品、微电子元器件、航天器件等对材料有特殊要求的领域。
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