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公开(公告)号：CN113594310B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110651582.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
Abstract: 本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构，位于衬底上，从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层，位于P型半导体层上，其中，金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层，从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。
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公开(公告)号：CN116666535A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310785803.1
申请日：2023-06-29
Applicant: 深圳市思坦科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微发光二极管器件、制备方法及显示设备，涉及半导体技术领域。微发光二极管器件制备方法包括：提供初始架构，初始架构包括驱动基板及位于驱动基板一侧的发光台阶；至少在发光台阶的周侧制作第一钝化层，发光台阶远离驱动基板一端的端面外露；在发光台阶上制作第一透明导电层，第一透明导电层覆盖第一钝化层并与驱动基板和发光台阶远离驱动基板的一端导通；至少在第一透明导电层远离第一钝化层的一侧制作第二钝化层，第一透明导电层中位于发光台阶远离驱动基板一端的至少部分相对于第二钝化层外露并形成接触区；在接触区远离驱动基板的一侧制作聚光结构。本申请制得的微发光二极管器件可缩减单颗像素点的出光角度，改善显示效果。
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公开(公告)号：CN116666519A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310609174.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 泉州三安半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极，半导体叠层由下到上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明导电层位于第二半导体层上，第一电极位于第一半导体层上，第二电极位于透明导电层上，俯视来看，半导体叠层具有尺寸x的最短侧边，透明导电层具倒角部，半导体叠层具有倒角边，倒角部的曲率半径大于倒角边的曲率半径，当70≤x
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公开(公告)号：CN116435417B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件和制备方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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公开(公告)号：CN116487499A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310418720.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 湘能华磊光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微尺寸发光二极管及其制备方法，包括衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明接触层、P电极、N电极以及透明绝缘层，衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层依次设置，透明接触层设置在第二半导体层上，所述缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层的边缘刻蚀形成斜角结构，透明绝缘层设置在衬底层、斜角结构以及透明接触层的表面，P电极贯穿透明接触层和透明绝缘层设置在第二半导体层，N电极贯穿透明绝缘层设置在第一半导体层的裸露面。本发明提供的微尺寸发光二极管能够调整出光角度，减少光在发光二极管内多次反射后被损耗，从而提高发光效率，减少能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322123A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211533674.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K50/844 , H10K50/84 , H10K50/814 , H10K50/824 , H10K59/12 , H01L33/56 , H01L33/54 , H01L33/42 , H01L27/15
Abstract: 提供了显示装置和用于制造显示装置的方法。该显示装置包括：基础层；布置在基础层上的电路层；像素限定层，像素限定层布置在电路层上，包括无机保护层以及布置在无机保护层上的有机层，并且限定有与电路层相邻并暴露无机保护层的第一开口以及在第一开口上的暴露有机层的第二开口；发光元件，发光元件包括布置在电路层上的第一电极、布置在第一电极上的功能层以及布置在功能层上的第二电极；以及覆盖像素限定层和发光元件的封装层。封装层包括：覆盖发光元件、无机保护层和有机层的辅助电极层；布置在辅助电极层上的封装有机膜；以及布置在封装有机膜上的上无机膜。
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公开(公告)号：CN116288177A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310308231.8
申请日：2023-03-27
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片，通过将ITO靶材通过电子束蒸发制备ITO气相反应物，再将金属基底材料和ITO气相反应物在预设温度下加热，形成金属液滴，并控制金属液滴在预设通氧量和预设ITO靶材蒸发速率下析出，以形成相互连通的纳米结构的ITO薄膜，具体的，通过纳米尺度对全内反射光散射(瑞利散射)加以调控，表面纳米结构的ITO薄膜在LED中应用，能通过纳米尺寸空间折射率变化引起光全内反射变化，从而提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN114242849B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111415059.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于提升LED亮度的ITO退火方法，包括以下步骤：S1：将ITO薄膜置入腔体内进行退火，在15～25s内将腔体温度上升至190℃～210℃；S2：保温60s～80s；S3：在40～60s内将腔体温度上升至490℃～510℃；S4：保温400s～500s，同时以0.5～0.7sccm的流速将O2通入腔体；S5：关闭温度控制并保持50s～70s，同时以0.5～0.7sccm的流速将O2通入腔体。本发明通过提高ITO表面氧含量，来提高LED亮度。
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公开(公告)号：CN116072785A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111292752.6
申请日：2021-11-03
Applicant: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法，属于光电子领域，GaP电流扩展层上生长有纳米ITO层和P电极；GaP电流扩展层上的发光点区域之外被刻蚀至N‑AlInP下限制层，暴露出的N‑AlInP下限制层上设置有表面粗糙的结构化层；纳米ITO层、GaP电流扩展层、P‑AlInP上限制层、多量子阱有源区、结构化层表面制备有SiO2绝缘层。本发明通过MOCVD采用低温抑制生长电流扩展层、纳米ITO等技术创新，并将红点瞄具光源芯片发光区域外反射光的部分进行表面结构化，有效消除红点瞄具光源芯片的反光效应,提高光源芯片发射光点的效果,使光点更加清晰、精确。
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公开(公告)号：CN116031337A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211711601.4
申请日：2022-12-29
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED倒装芯片的制造方法。该制造方法，先在衬底上依次生长出N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层，同步光刻Mesa台阶面和切割道，再依次制备得到Mesa台阶面、切割道、电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层。该制造方法将Mesa台阶面与切割道同步光刻作业，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积。
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