公开(公告)号：CN116031337A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211711601.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 齐佳鹏 ,  李慧敏 ,  张帆 ,  钟伟华 ,  林武 ,  李景浩 ,  李家昌

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED倒装芯片的制造方法。该制造方法，先在衬底上依次生长出N‑GaN层、多量子阱层和P‑GaN层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层，同步光刻Mesa台阶面和切割道，再依次制备得到Mesa台阶面、切割道、电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层。该制造方法将Mesa台阶面与切割道同步光刻作业，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积。

公开(公告)号：CN116525736A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310452853.8

申请日：2023-04-25

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 李景浩 ,  李慧敏 ,  钟伟华 ,  林武 ,  鲁日彬 ,  李家昌 ,  彭足超

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明公开了一种金属剥离优化的方法，属于半导体电子技术领域，在金属剥离处理中降低底切角的角度为70～80°和/或提高掩膜层的厚度为本发明提供的金属剥离优化的方法使得撕金易剥离，撕金效果更优且成本较低。

公开(公告)号：CN115954419A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211711628.3

申请日：2022-12-29

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 李慧敏 ,  齐佳鹏 ,  钟伟华 ,  张帆 ,  林武 ,  李景浩 ,  李家昌

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED银镜芯片的制造方法。该制造方法在GaN外延片上蒸镀ITO导电层，再沉积一层刻蚀掩膜，对刻蚀掩膜进行光刻、刻蚀得到Mesa台阶面，再使用光刻胶覆盖Mesa台阶面，刻蚀后得到切割道；使用BOE溶液腐蚀剩余二氧化硅后再次光刻后蒸镀银镜，得到电流扩展层和反射层，最后依次制备二氧化硅保护层和金属电极焊盘层。该制造方法通过调整制备步骤，实现一次性光刻，可最大限度保留GaN层的面积及其上ITO的面积，增大其发光效率。

公开(公告)号：CN116093213A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211711557.7

申请日：2022-12-29

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 齐佳鹏 ,  李慧敏 ,  张帆 ,  钟伟华 ,  林武 ,  李景浩 ,  李家昌

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种DBR倒装芯片的制造方法。该制造方法，先在衬底上依次生长出氮化镓基的N型半导体层、多量子阱层，以及P型半导体层，再依次制备、电流阻挡层和ITO层、Mesa台阶面，同步光刻并刻蚀Mesa切割道和ISO切割道，再依次制备得到电流扩展层、DBR反射层和金属电极焊盘层。该制造方法将Mesa切割道和ISO切割道一同光刻，以减少曝光偏移，最大限度保留GaN层的面积及其上ITO(透明导电层)的面积。

公开(公告)号：CN115910766A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211533079.5

申请日：2022-12-01

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 鲁日彬 ,  林武 ,  钟伟华 ,  李慧敏 ,  李景浩 ,  蔡武 ,  李家昌

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种LED芯粒刻蚀方法，按照预设腔体制程温度对芯粒进行刻蚀，得到最终刻蚀后的芯粒，所述预设腔体制程温度小于0℃；使用氮气对所述最终刻蚀后的芯粒进行吹扫，得到芯粒成品，通过降低腔体制程温度以及将刻蚀后的吹扫气体改为氮气，能够降低刻蚀速率，提高刻蚀稳定性，从而提高刻蚀均匀性，使得片源的金属刻蚀深度处于所设定的区间内，不会出现区域过蚀刻，避免底层金属裸露与后续制程过程中的液体接触而造成金属氧化，防止了刻蚀后裸露的金属氧化。

公开(公告)号：CN115739822A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211272272.8

申请日：2022-10-18

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 钟伟华 ,  林武 ,  鲁日彬 ,  李景浩 ,  李慧敏 ,  蔡武 ,  黄友鑫 ,  李家昌

IPC: B08B5/00 ,  B08B5/02 ,  B08B13/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开一种干法刻蚀方法，在腔体内使用氧气产生自由原子；吹扫去除所述自由原子，得到清洁后的腔体；在所述清洁后的腔体内对片源进行干法刻蚀；干法刻蚀完成后，在所述腔体内使用氮气吹扫，利用氧气自由原子以化学方法蚀除有机物的同时，不会刻蚀基片，再通过吹扫清除刻蚀残留物，在刻蚀完成后进行氮气吹扫，有效去除吸附在片源表面的刻蚀残留气体及刻蚀生成物，并去除刻蚀盘及传递腔内刻蚀残留气体及刻蚀生成物，避免吸附在片源上，从而有效去除片源表面的刻蚀麻点。

公开(公告)号：CN220033996U

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202320769021.4

申请日：2023-04-10

Applicant: 福建兆元光电有限公司

Inventor： 李慧敏 ,  钟伟华 ,  林武 ,  李景浩 ,  李家昌 ,  鲁日彬 ,  彭足超

IPC: B67B7/14 ,  B67B7/18

Abstract: 本实用新型涉及芯片制造辅助用具技术领域，具体涉及一种光刻胶瓶的拧盖机构及拧盖装置，包括手柄、套件和拧盖组件；所述套件上设置有通孔，所述套件内设置有与通孔连通的拧盖空间；所述拧盖组件包括单向转动设置在所述拧盖空间内的拧盖环，所述拧盖环的内圈用于套设在所述光刻胶瓶的瓶盖上；所述拧盖机构设置在手柄的端部。本实用新型在开启光刻胶瓶的瓶盖过程中，将设置在套件内的拧盖组件的拧盖环套设在光刻胶瓶的瓶盖上，然后操作人员可以旋转手柄将光刻胶瓶的瓶盖拧松。同时单向转动设置的拧盖环，使得在拧盖过程中，无需反复套接拧盖环与光刻胶瓶的瓶盖，从而提高开盖效率。