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公开(公告)号：CN115369385A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211039408.0
申请日：2022-08-29
Applicant: 福建兆元光电有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开一种LED二氧化硅薄膜的制作方法，按照第一预设射频功率基于第一预设流量的硅烷对清除后的二氧化硅种子层进行化学气相沉积，得到完善后的二氧化硅种子层，所述第一预设射频功率大于80W，所述第一预设流量大于220sccm；基于所述完善后的二氧化硅种子层进行化学气相沉积，形成二氧化硅薄膜，使用大于220sccm的硅烷对清除后的二氧化硅种子层进行化学气相沉积，能够改变成膜结构，完善种子层的膜层缺陷，以此提高最终二氧化硅薄膜的折射率，从而有效提高LED的亮度。
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公开(公告)号：CN115613011B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211064092.0
申请日：2022-09-01
Applicant: 福建兆元光电有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种改善后置电极SiO2脱落的化学气相沉积方法，包括步骤：将镀有SiO2的LED芯片放入化学气相沉积机台内，并控制化学气相沉积机台内的温度保持在预设温度；依次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长种子层；再次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长生长层。本发明通过改变SiO2的成膜结构，以提升LED芯片表面SiO2保护层的质量，从而有效防止LED芯片表面后置电极SiO2的脱落，提高LED的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115679450A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211241697.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种降低电压的ITO高温退火方法，包括如下步骤：S1：将ITO置入腔体；S2：将腔体温度上升至480‑520度，保温400‑500S，同时使用N2去置换腔体内原先存在的气体；S3：关闭腔体保温，继续使用N2去置换腔体内原先存在的气体，保持40‑80S，使腔体温度下降到380‑420度。本发明的有益效果在于：腔体内的氧含量降低，并使ITO中的氧离子发生化学反应。1个氧离子失去两个电子形成0.5个氧分子挥发，并留下一个氧空位。S2和S3的温度还使ITO晶化程度趋于完整，使ITO的面电阻降低。故本发明提供的降低电压的ITO高温退火方法，增加ITO中的游离电子，降低ITO的面电阻，提高了LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN115458657A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211221466.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 福建兆元光电有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED电极及其制备方法，在LED芯片上依次蒸镀铬层、铝铜层、钌铂合金层以及黄金层，且钌铂合金层包括多次重复生长的钛层、铂金层、钌金层和铂金层，能够通过铂钌合金的独特性质，增强LED电极的硬度和韧性，且铂钌合金的抗腐蚀能力强，热稳定性质极高，在大电流的驱动下，LED芯片能够平稳的发光运行；并且，钌铂合金中的铂钌原子无法彻底渗入对方，通常渗入深度约为因此设计铂金层和钌金层厚度为左右，一方面保证了LED电极的耐驱能力，另一方面控制较低的成本，从而大大提高了大功率LED的可靠性能。
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公开(公告)号：CN115458657B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211221466.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 福建兆元光电有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED电极及其制备方法，在LED芯片上依次蒸镀铬层、铝铜层、钌铂合金层以及黄金层，且钌铂合金层包括多次重复生长的钛层、铂金层、钌金层和铂金层，能够通过铂钌合金的独特性质，增强LED电极的硬度和韧性，且铂钌合金的抗腐蚀能力强，热稳定性质极高，在大电流的驱动下，LED芯片能够平稳的发光运行；并且，钌铂合金中的铂钌原子无法彻底渗入对方，通常渗入深度约为#imgabs0#因此设计铂金层和钌金层厚度为#imgabs1#左右，一方面保证了LED电极的耐驱能力，另一方面控制较低的成本，从而大大提高了大功率LED的可靠性能。
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公开(公告)号：CN116190207A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310075236.0
申请日：2023-01-31
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及电极制造技术领域，特别涉及一种改善电极脱落的蒸镀前冲水方法和冲水装置。该蒸镀前冲水方法，包括以下步骤：S1：依次对晶片进行顶部冲水、顶部底部同时冲水和底部冲水；S2：重复S2四次；S3：对晶片进行底部冲水200±20s；S4：对晶片进行底部冲水60±10s，冲水的同时进行排水。该蒸镀前冲水方法通过更改冲水水流方向，确保蒸镀前晶片表面的脏污可以彻底清洁，从而改善因蒸镀前甩干造成的电极脱落问题。
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公开(公告)号：CN115621381A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211316485.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺，包括以下步骤：S2：将Wafer放置溅射机的溅射盘上，以60‑100W的DC功率，210‑290W的RF功率，400‑600S/R的溅射盘转速，溅射1圈的ITO；S3：以110‑170W的DC功率，350‑470W的RF功率，8‑12S/R的溅射盘转速，溅射50‑70圈ITO；完成降低电压的ITO溅镀。本发明提供的包含降低电压的ITO溅镀方法的LED芯片生产工艺中，本领域技术人员难以发现减低溅镀盘转速也能避免P层被溅镀ITO时的损伤，分两个步骤溅镀ITO以及降低ITO的溅镀功率保护了P层，降低了LED芯片的工作电压；具有显著的进步。
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公开(公告)号：CN116083860A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211428494.4
申请日：2022-11-15
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种黄金颗粒自动预熔方法，包括如下步骤：S2：使用石墨垫片贴附在钨坩埚的外底面；S4：在机械臂抓取端所在水平面建立直角坐标系，所述直角坐标系以与钨坩埚的轴线相交点为原点，所述直角坐标系的50个单位长度等于钨坩埚半径；本发明的有益效果在于：本发明提供的黄金颗粒自动预熔方法中，将石墨垫片垫在钨坩埚底面，所述石墨垫片可均匀电子枪的热量，避免温度集中使黄金升华。机械臂带动电子枪先以从小到大的功率加热钨坩埚的底面中部，随后以较大功率沿钨坩埚的底面周向加热黄金。黄金被预熔均匀，黄金的消耗量减小。
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公开(公告)号：CN115621380A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211316454.0
申请日：2022-10-26
Applicant: 福建兆元光电有限公司
Abstract: 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提升LED芯片发光效率的电流阻挡层沉积方法，包括如下步骤：S3：向沉积腔同时通入5‑15sccm的氨气、300‑500sccm的硅烷和1300‑1700sccm的氮气，同时开启沉积腔80‑100W的射频功率，维持55‑85S；完成CBL的制作。本发明的有益效果在于：1、氮化硅具有比二氧化硅更优良的绝缘性。2、氮化硅在形成时立刻被氮气吹扫，氮化硅上游离的气体离子将被氮气带走，并且提高氮化硅结构致密性。故使用本发明提供的提升LED芯片发光效率的电流阻挡层沉积方法形成的CBL结构致密，游离电子少，绝缘性优良；即使减薄CBL厚度，也避免漏电，提高了LED芯片的发光量。
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公开(公告)号：CN115613011A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211064092.0
申请日：2022-09-01
Applicant: 福建兆元光电有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种改善后置电极SiO2脱落的化学气相沉积方法，包括步骤：将镀有SiO2的LED芯片放入化学气相沉积机台内，并控制化学气相沉积机台内的温度保持在预设温度；依次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长种子层；再次向化学气相沉积机台内通入两次预设体积流量的N2O、SiH4和N2气体，且每次维持不同的时间，以在镀有SiO2的LED芯片表面生长生长层。本发明通过改变SiO2的成膜结构，以提升LED芯片表面SiO2保护层的质量，从而有效防止LED芯片表面后置电极SiO2的脱落，提高LED的使用寿命。
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