公开(公告)号：CN118216089A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280074131.7

申请日：2022-10-20

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 有村昌彦

IPC分类号： H03K17/567 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H03K17/691 ,  H03K19/0175

摘要： 一种信号传递装置(200)为了驱动开关元件(Q1)而传递脉冲信号，包括：第一外部端子(T1)，构成为接收常规驱动用的第一输入脉冲信号(IN)；第二外部端子(T2)，构成为接收强制驱动用的第二输入脉冲信号(ASC)；以及，第一逻辑器件(214)，构成为根据第一输入脉冲信号(IN)及第二输入脉冲信号(ASC)而生成驱动脉冲信号(例如接通信号ON及断开信号OFF)。第一逻辑器件(214)使第二输入脉冲信号(ASC)优先于第一输入脉冲信号(IN)。

公开(公告)号：CN116598313B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310876380.4

申请日：2023-07-18

申请人： 苏州华太电子技术股份有限公司

发明人： 张耀辉

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H10B12/00 ,  H10B10/00

摘要： 本申请实施例提供了一种三维集成电路，包括：底部器件层；所述底部器件层包括自下而上设置的底部衬底、底部功能器件层、底部绝缘层；其中，所述底部绝缘层中具有与底部功能器件层的功能器件连接的电连接结构；形成在底部器件层上方的上方第一器件层，所述上方第一器件层包括自下而上设置的第一半导体层、第一功能器件层、第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层中具有与第一功能器件层的功能器件连接的电连接结构；第一层间通孔以及填充其内的导电物质，连接所述底部绝缘层的电连接结构和所述第一绝缘层的电连接结构。本申请实施例解决了传统的3D封装芯片不能适应芯片的发展方向的技术问题。

公开(公告)号：CN118202461A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073797.0

申请日：2022-10-20

申请人： 京瓷AVX元器件公司

发明人： 科里·内尔森

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/94 ,  H01L29/66

摘要： 提供了一种组合式金属氧化物半导体(MOS)和金属绝缘体半导体(MIS)电容器组件。该电容器组件包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化层，该氧化层形成在衬底的表面上；以及绝缘层，该绝缘层形成在氧化层的至少一部分上。该电容器组件还包括第一导电端子和第二导电端子，以及与衬底连接的第三端子。该氧化层串联连接在衬底与第一导电层之间，以在第一端子与第三端子之间形成第一电容器。绝缘层串联连接在衬底与第二导电层之间，以在第二端子与第三端子之间形成第二电容器。

公开(公告)号：CN118198059A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410225507.0

申请日：2024-02-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 孙鹏 ,  邓光敏 ,  姚一平 ,  杨继业

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明提供一种具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构及其形成方法，包括：主GaN HEMT器件及保护结构，且所述保护结构包括过压保护GaN HEMT器件、肖特基二极管及限流电阻，所述过压保护GaN HEMT器件的源极与所述主GaN HEMT器件的源极连接，其漏极与所述主GaN HEMT器件的栅极连接，其栅极与所述肖特基二极管的阳极连接；所述肖特基二极管的阴极与所述主GaN HEMT器件的栅极连接；所述限流电阻的一端与所述肖特基二极管的阳极连接，其另一端与所述主GaN HEMT器件的源极连接。通过本发明解决了现有的增强型GaN HEMT器件可靠性较低的问题。

公开(公告)号：CN112802839B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202011238738.3

申请日：2020-11-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 清水和宏 ,  川崎裕二 ,  今坂俊博 ,  吉野学

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/06

摘要： 向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。

公开(公告)号：CN118156135A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211564843.5

申请日：2022-12-07

申请人： 尼克森微电子股份有限公司 ,  帅群微电子股份有限公司

发明人： 唐松年 ,  陈和泰 ,  许修文

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06

摘要： 本发明公开一种功率元件，包括电基板、外延复合层、多个栅极、钝化层、导电体、漏极及场板。电基板具有第一表面、外延漂移层及多个掺杂区，多个掺杂区位于第一表面下方。外延复合层位于电基板上。栅极位于外延复合层上。钝化层覆盖栅极及外延复合层。导电体贯穿钝化层及外延复合层，且延伸至掺杂面，导电体的宽距大于间隔。漏极贯穿钝化层且延伸至外延层。场板位于钝化层上，遮盖栅极且电性连接导电体。

公开(公告)号：CN116995066B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310795760.5

申请日：2023-06-30

申请人： 宁波鼎声微电子科技有限公司

发明人： 冯会军 ,  韩胜友 ,  徐刚君 ,  刘冰芝 ,  刘树林

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L27/06

摘要： 本发明涉及一种IGBT单晶硅门极电阻器以及制造方法，P型单晶硅晶圆，上表面镀SiO2膜形成绝缘层，SiO2膜上光刻镂空形成Testpin电极图形，晶圆背面添加导电金属，溅射电阻层，在Pin1电极与TestPin电极内溅射AL材料，Pin1电极包括焊线区，焊线区向TestPin电极延伸条形进入“E”字形中部且不与Pin1电极接触；在350℃情况下1小时退火处理；去除Pin1电极与TestPin电极以外的光刻胶；镭射修阻；划片分割；检测与封装。本发明采用P型单晶硅制成的门极电阻可以在IGBT单晶硅门极电阻器生产时同步生产。实现大功率、可内置的门极电阻。

公开(公告)号：CN110024105B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201680091258.4

申请日：2016-12-31

申请人： 英特尔公司

发明人： K·L·林 ,  T·迈赫迪 ,  J·M·托雷斯 ,  J·D·比勒费尔德 ,  M·克雷萨克 ,  J·M·布莱克韦尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L21/02

摘要： 在示例中，公开了一种集成电路，具有：具有电介质、第一导电互连和第二导电互连的第一层；具有第三导电互连的第二层；位于第一层和第二层之间以将第二导电互连电耦合到第三导电互连的导电过孔；以及垂直设置于第一层和第二层之间并被设置成防止过孔电短路到第一导电互连的抗蚀刻插塞。

公开(公告)号：CN118043966A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066199.0

申请日：2022-09-09

申请人： 超威半导体公司

发明人： 理查德·T·舒尔茨

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/822 ,  H01L27/118 ,  H01L29/775 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092

摘要： 描述了用于有效地创建存储位单元布局的系统和方法。在各种实施方式中，库中的单元使用交叉场效应晶体管(FET)，该交叉场效应晶体管(FET)包括具有导电沟道的垂直堆叠的全环绕栅极(GAA)晶体管，该导电沟道在这些晶体管之间以正交方向排列。该垂直堆叠的晶体管的沟道使用相反的掺杂极性。第一类单元包括器件，其中特定垂直堆叠中的两个器件中的每个器件接收相同输入信号。第二类单元包括器件，其中特定垂直堆叠中的两个器件接收不同输入信号。该第二类单元的高度尺寸大于该第一类单元。

公开(公告)号：CN118039644A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410188987.8

申请日：2024-02-20

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 何慧敏 ,  廖成意

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种集成电压调节模块的有源转接板结构及其制造方法。该结构包括：有源转接板；硅通孔，所述硅通孔布置在所述有源转接板上；电压调节模块，所述电压调节模块布置在所述有源转接板上；微凸点，所述微凸点布置在所述有源转接板的第一表面；凸点，所述凸点布置在所述有源转接板的第二表面；芯片模块，所述芯片模块通过所述微凸点与所述有源转接板电连接；基板，所述基板通过所述凸点与所述有源转接板电连接；所述电压调节模块与所述芯片模块和/或所述硅通孔电连接。该转接板结构，将电压调节模块从PCB或者基板转移到有源转接板上，有利于提高输入电源电压、降低电流，减少了路径上接口和硅通孔带来的焦耳热损失提高了供电效率，有助于提高芯片模块的可靠性和寿命。