发明授权
- 专利标题: 用于改善短路裕量的硬化插塞
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申请号: CN201680091258.4申请日: 2016-12-31
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公开(公告)号: CN110024105B公开(公告)日: 2024-05-28
- 发明人: K·L·林 , T·迈赫迪 , J·M·托雷斯 , J·D·比勒费尔德 , M·克雷萨克 , J·M·布莱克韦尔
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 夏青
- 国际申请: PCT/US2016/069634 2016.12.31
- 国际公布: WO2018/125247 EN 2018.07.05
- 进入国家日期: 2019-05-30
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768 ; H01L27/06 ; H01L21/02
摘要:
在示例中,公开了一种集成电路,具有:具有电介质、第一导电互连和第二导电互连的第一层;具有第三导电互连的第二层;位于第一层和第二层之间以将第二导电互连电耦合到第三导电互连的导电过孔;以及垂直设置于第一层和第二层之间并被设置成防止过孔电短路到第一导电互连的抗蚀刻插塞。
公开/授权文献
- CN110024105A 用于改善短路裕量的硬化插塞 公开/授权日:2019-07-16
IPC分类: