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公开(公告)号：CN106661761A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042829.0
申请日：2015-08-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及氧化铝基板。本发明的目的在于提供一种在将AlN结晶等制作于氧化铝基板上时能够制作出更高质量的结晶的氧化铝基板。本发明的另外一个目的在于提供一种AlN层的翘曲被减小的氧化铝基板。本发明的再有一个目的在于提供一种基板材料，在作为种基板进行使用的情况下，当被过度施加由不可避免发生的晶格不匹配引起的应力时，能够促进自然剥离主导的基板独立化。通过将AlN层形成于氧化铝基板的表面上并且将稀土含有层以及/或者稀土含有区域形成于AlN层的内部或者AlN层与所述氧化铝基板的界面上从而缓和对AlN层的应力，能够减小翘曲。另外，如果使用这样的基板来培养AlN结晶则能够通过自然剥离令培养了的结晶独立化。
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公开(公告)号：CN101187063B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710154332.5
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。
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公开(公告)号：CN100437214C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610002540.9
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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公开(公告)号：CN101187063A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710154332.5
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。
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公开(公告)号：CN1308739C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03101284.1
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1936652A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610101571.X
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明的目的是提供使用了法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料的法拉第旋转子。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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公开(公告)号：CN1815302A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610002540.9
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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公开(公告)号：CN1244724C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN01108959.8
申请日：2001-02-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及Bi置换稀土类铁石榴石单晶膜及其制造方法，和使用该单晶膜的法拉第转子。其特征在于，在使用外延生长法生长Bi置换磁性石榴石单晶的磁性石榴石单晶膜的制造方法中，随着单晶膜的生长，使上述磁性石榴石单晶膜的晶格常数保持恒定或渐渐减少，接着，随着上述单晶膜的生长使上述晶格常数增加，以形成磁性石榴石单晶膜。
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公开(公告)号：CN1445582A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121663.3
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/093 , G02B1/02 , G02B27/286
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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公开(公告)号：CN1439749A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03105491.9
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。
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