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公开(公告)号：CN102515782A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110435287.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供了一种通过外加纳米材料在氧化气氛下烧制钧瓷的方法。该方法利用一种无毒的纳米级铜单质作为助剂，在普通空气气氛条件下烧制出具有蓝色乳光效果的钧瓷。本发明所用的助剂为一种纳米铜粒子水溶液，可以直接涂抹到钧瓷坯体表面，无毒并且不会对环境造成污染。铜单质既是成色剂，又可以作为还原剂影响釉层中物质存在形式。所用的窑炉为程序升温马弗炉，炉内气氛和温度容易控制，并且清洁无污染。本发明的优点是，采用氧化气氛烧制具有还原效果的钧瓷，绿色环保，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101786650A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010111402.0
申请日：2010-02-08
IPC: C01G5/00 , B82B3/00 , H01L31/032
Abstract: 一种低温下原位合成片状硫化银纳米晶光电薄膜的化学方法。该方法先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂，有机溶剂的体积大于容器容积的1/2，再将具有洁净金属银表面的基底材料倾斜或水平置于容器底部，避免与硫粉直接接触。把其基底材料和硫粉沉浸于溶剂液面之下，在20～60℃温度反应4～184小时，反应物中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，即在具有洁净金属银表面的基底材料表面原位制得片状硫化银纳米晶组成的薄膜材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。获得具有洁净金属银表面基底材料的方法，是将具有金属银表面的基底材料置于无水乙醇中，用超声波清洗器清洗3分钟后浸泡于DMF或无水乙醇中待用。本方法低温、低能耗、方便快捷，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN119985649A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510270289.7
申请日：2025-03-07
Applicant: 许昌学院
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/414 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开了一种基于OPECT高灵敏度检测毒死蜱的检测方法及应用，将制备的TiO2/CdS/CPF栅电极、OECT晶体管与反应腔和PBS缓冲液组装为生物传感器，后将待检测物滴在栅电极表面利用LED光源照射，进行OPECT检测，成功实现了对毒死蜱(CPF)的高灵敏度和高特异性检测。本发明所述的检测方法以TiO2/CdS异质结取代传统的栅电极：将TiO2/CdS异质结作为光敏栅极引入有机光电化学晶体管(OPECT)体系，通过异质结的窄带隙协同效应显著提升光吸收能力与电荷分离效率，解决了传统TiO2光电转换效率低的瓶颈。
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公开(公告)号：CN105369232B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510084504.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C22/02
Abstract: 本发明涉及一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法。它是在基底表面获得铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含溴化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbBr3薄膜材料。该方法操作简单，无需旋涂过程，可大面积制备得到CH3NH3PbBr3薄膜，有效解决大尺寸器件制作问题；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN104934490B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510173360.6
申请日：2015-04-13
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0296 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明所要解决的问题是：克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106966429A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710181884.9
申请日：2017-03-24
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: C01G29/006 , B01J27/06 , B01J35/004 , B01J35/065 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/01 , C01P2006/40
Abstract: 本发明公开了一种n‑型BiOBr1‑xIx光电薄膜材料的制备方法。包括以下步骤：室温条件下以FTO为基底，依次在溴化钾水溶液、硝酸铋水溶液、碘化钾水溶液中浸渍为循环A；重复若干个循环，冲洗、干燥即得n‑型BiOBr1‑xIx有序纳米结构光电薄膜材料。依次在溴化钾水溶液、硝酸铋水溶液中浸渍为循环B；循环B夹杂在循环A中实施。本发明在室温下原位制备了n‑型BiOBr1‑xIx薄膜材料，操作简单，几乎没有能耗，成膜均匀，稳定性较好，克服了传统的物理气相沉积法、化学沉积法、热蒸发法等的工艺复杂且制备的样品容易团聚、脱落、不均匀等问题。
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公开(公告)号：CN104250723B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410459336.4
申请日：2014-09-09
Abstract: 本发明涉及一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法，它是在基底表面溅射铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料；或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜，再浸入碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。该方法操作简单，低能耗，成本低，具有广阔的工业应用前景；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良。
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公开(公告)号：CN104876195B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510336541.6
申请日：2015-06-17
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN104934490A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510173360.6
申请日：2015-04-13
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/0296 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 本发明所要解决的问题是：克服目前制备SnO需要依靠复杂设备、苛刻沉积条件等缺点，提供了一种简单方法原位制备SnO半导体光电薄膜材料的方法，制备成本低，能大面积成膜，具有很好的应用前景。本申请采用元素直接反应的方法，将溅射在不同基底、不同厚度的Sn薄膜(50nm～400nm)置于管式炉中，经过100℃～400℃煅烧，使单质Sn薄膜与空气中的O2发生反应生成致密均匀的SnO薄膜。不同温度、不同厚度的SnO薄膜的光吸收能力、表面形貌不同，拓宽了SnO在光电材料中的应用。该方法简单有效，对制备条件要求低，不需要复杂的制备条件，有利于低成本大规模的制备SnO半导体光电薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102515782B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110435287.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供了一种通过外加纳米材料在氧化气氛下烧制钧瓷的方法。该方法利用一种无毒的纳米级铜单质作为助剂，在普通空气气氛条件下烧制出具有蓝色乳光效果的钧瓷。本发明所用的助剂为一种纳米铜粒子水溶液，可以直接涂抹到钧瓷坯体表面，无毒并且不会对环境造成污染。铜单质既是成色剂，又可以作为还原剂影响釉层中物质存在形式。所用的窑炉为程序升温马弗炉，炉内气氛和温度容易控制，并且清洁无污染。本发明的优点是，采用氧化气氛烧制具有还原效果的钧瓷，绿色环保，并降低生产成本。
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