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公开(公告)号：CN104876195A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510336541.6
申请日：2015-06-17
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN104250723A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410459336.4
申请日：2014-09-09
Abstract: 本发明涉及一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法，它是在基底表面溅射铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料；或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜，再浸入碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。该方法操作简单，低能耗，成本低，具有广阔的工业应用前景；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良。
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公开(公告)号：CN103779447B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410048793.4
申请日：2014-02-12
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其包括如下步骤：（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20-30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟。该方法在室温条件下制备，覆铜表面完全转化形成碘化亚铜，反应温度低，对单晶硅基底无影响，且反应过程可控，操作方便，制备时间短。
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公开(公告)号：CN103247718A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310121142.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C01G9/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，将表面溅射有单质金属铜和单质金属银的基底材料，或者铜银合金箔片材料，倾斜、竖直或水平置于含有单质硫粉与无水乙醇的容器中，避免与硫粉直接接触，并保证这些基底材料浸泡于有机溶剂液面以下，在18-40oC的温度范围内反应25分钟~12小时。反应过程中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，反应完成后在基底材料表面原位制得灰黑色硫铜银三元化合物光电薄膜半导体材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。该方法能耗低，反应容器简单，所用溶剂可重复利用，无需使用表面活性剂和其它化学添加剂，产物后处理简单，具有很强的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN105369232A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510084504.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C22/02
CPC classification number: C23C22/02
Abstract: 本发明涉及一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法。它是在基底表面获得铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含溴化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbBr3薄膜材料。该方法操作简单，无需旋涂过程，可大面积制备得到CH3NH3PbBr3薄膜，有效解决大尺寸器件制作问题；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247718B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310121142.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 许昌学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C01G9/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种常温下原位控制合成硫铜银三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，将表面溅射有单质金属铜和单质金属银的基底材料，或者铜银合金箔片材料，倾斜、竖直或水平置于含有单质硫粉与无水乙醇的容器中，避免与硫粉直接接触，并保证这些基底材料浸泡于有机溶剂液面以下，在18-40oC的温度范围内反应25分钟~12小时。反应过程中单质硫粉的浓度保持在饱和状态，反应完成后在基底材料表面原位制得灰黑色硫铜银三元化合物光电薄膜半导体材料，产物用无水乙醇洗涤，室温干燥即可。该方法能耗低，反应容器简单，所用溶剂可重复利用，无需使用表面活性剂和其它化学添加剂，产物后处理简单，具有很强的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN105369232B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510084504.0
申请日：2015-02-16
Applicant: 许昌学院
IPC: C23C22/02
Abstract: 本发明涉及一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法。它是在基底表面获得铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含溴化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbBr3薄膜材料。该方法操作简单，无需旋涂过程，可大面积制备得到CH3NH3PbBr3薄膜，有效解决大尺寸器件制作问题；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良，低能耗，制作成本低，具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN104250723B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410459336.4
申请日：2014-09-09
Abstract: 本发明涉及一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法，它是在基底表面溅射铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料；或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜，再浸入碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。该方法操作简单，低能耗，成本低，具有广阔的工业应用前景；所得CH3NH3PbI3薄膜纯度高、薄膜表面晶体均匀、结晶性优良。
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公开(公告)号：CN104876195B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510336541.6
申请日：2015-06-17
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103779447A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410048793.4
申请日：2014-02-12
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/20 , H01L31/074
Abstract: 本发明涉及一种气-固相原位反应制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜的方法，其包括如下步骤：（1）将n型单晶硅片进行表面腐蚀处理，得到表面为金字塔状阵列结构的n型单晶硅片；（2）在n型单晶硅片表面制备单质铜层，得到覆铜n型单晶硅片；（3）制备单晶硅/碘化亚铜本体异质结薄膜：20-30℃下将步骤（2）得到的覆铜n型单晶硅片放入布满饱和碘蒸气的密闭反应器中反应15-50分钟。该方法在室温条件下制备，覆铜表面完全转化形成碘化亚铜，反应温度低，对单晶硅基底无影响，且反应过程可控，操作方便，制备时间短。
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