公开(公告)号：CN104876195A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510336541.6

申请日：2015-06-17

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  程佳美 ,  雷岩 ,  贾会敏 ,  贺迎迎 ,  陆凯

IPC: C01B19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。

公开(公告)号：CN104876195B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510336541.6

申请日：2015-06-17

Applicant: 许昌学院

Inventor： 郑直 ,  程佳美 ,  雷岩 ,  贾会敏 ,  贺迎迎 ,  陆凯

IPC: C01B19/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种常温原位合成硒硫铜三元化合物的化学方法。将单质Se粉溶解在Na2S的水溶液中形成酒红色溶液，将铜源浸泡于上述溶液中，5～30℃恒温反应即可原位制得黑色硒硫铜三元化合物。该方法在5～30℃常温条件下即可进行，条件温和，反应过程不影响导电基底材料的性能，反应过程可控，操作简便快捷，几乎无能耗。所得硒硫铜三元化合物纯度高、均匀、结晶性优良，作为一种新型窄带系光电材料有较好的工业应用前景。