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公开(公告)号：CN103904113B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410025458.2
申请日：2014-01-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述栅电极、源电极、漏电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，硅化物位于绝缘层之上所述硅化物为块状，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强。
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公开(公告)号：CN103928504B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410168281.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明具有生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InGaN纳米器件。
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公开(公告)号：CN104037221B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410312712.7
申请日：2014-07-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于极化效应的复合场板高性能AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极，有机绝缘层与源极相邻的一侧也设有ITO，该有机绝缘层一侧的ITO与AlGaN掺杂层之间还设有一层栅介质；所述源极与有机绝缘层侧面的ITO之间设有钝化层，漏极与有机绝缘层之间也设有钝化层。本发明实现了对2DEG浓度的部分耗尽作用，实现了栅靠近漏端电场的调制，还提高了器件反偏时的击穿电压，还提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN106024922A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610117685.7
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金。衬底、集电极区、光吸收区、基极区、发射极区依次竖直分布，保护层包裹在集电极区、光吸收区、基极区、发射极区外围。本发明采用标准CMOS工艺制备。本发明通过采用具有带隙、高光吸收系数的GeSn材料，有着比Ge探测器更广的中红外探测范围，具有高的光灵敏度和光电流。
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公开(公告)号：CN103928503B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410166259.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlGaN纳米线制备成本高，生长效率低的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层5?20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlGaN纳米线。本发明具有制备成本低，生长速率快的优点，可用于制作高性能极性AlGaN纳米器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103779408B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410025538.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间)，形成硅化物(NiSi，TiSi2等等)。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻高工作频率的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件。
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公开(公告)号：CN105789347A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610117819.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/11 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1105 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/1812
Abstract: 本发明公开了一种基于GeSn?GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射极区、基极区、光吸收区、集电极区的外围。本发明晶体管的制作方法采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn材料，标准CMOS制作工艺。本发明通过使用有高光吸收系数的GeSn材料在光吸收区，分别和GeSi发射极区、集电极区构成异质结，实现晶体管在探测红外光信号时光灵敏度和光电流的提升，具有高的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN105552127A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610125287.X
申请日：2016-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/161
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/161 , H01L29/41725 , H01L29/6684
Abstract: 一种基于GeSn材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8。所述源极2、沟道3和漏极4，在衬底1上依次由下至上竖直分布；绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8由内而外环绕覆盖在沟道3的四周。本发明在隧穿场效应晶体管沟道中引入GeSn材料，并在晶体管栅介质中加入了铁电材料，使得该晶体管具有亚阈摆幅小、开关速度高和功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN103745991B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410029857.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括：衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上依次有：源极、栅极和漏极，在源极与栅极之间、栅极与漏极之间还形成有线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极。本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布，达到了提高器件击穿电压的目的；本发明采用栅源场板，确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，达到了提高击穿电压的目的。
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公开(公告)号：CN103745993B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410030986.7
申请日：2014-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于超结的AlGaN/GaNMISHEMT高压器件及其制作方法，高压器件的结构从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、本征GaN（或AlGaN）沟道层、AlN隔离层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上有源极、栅极、漏极、线性AlGaN层、柵源场板、P型GaN（或InGaN）层、基极，栅极与AlGaN势垒层之间还设置有绝缘介质层。本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，达到了提高器件击穿电压的目的；栅源场板确保了电场峰值不会出现在栅靠近源的边界处，提高了击穿电压；绝缘栅结构避免了栅极泄漏电流，提高了器件性能。
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