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公开(公告)号：CN106028614A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610602628.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H05H1/24
Abstract: 本发明涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置，包括放电电源、框架、安装在框架上的氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管，框架包括上下平行设置的两个第一有机玻璃板以及连接两个第一有机玻璃板的多个支撑管，氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管均穿过两个第一有机玻璃板，等离子体放电管位于所述氧化铝陶瓷棒阵列之间，等离子体放电管与放电电源相连接。本发明还涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的方法。本发明具有结构简单，操作方便，缺陷模连续可调节的优点，为等离子体光子晶体的研究提供了更为广阔的空间，有望在工业应用中产生重要的作用。
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公开(公告)号：CN105755449A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610328633.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/272 , C23C16/279 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
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公开(公告)号：CN103898458B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410125282.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬底的温度，不需要再经高温退火，即可在上述二氧化硅层上，制得4-6nm直径的硅纳米晶薄膜。本发明所涉及的方法与成熟的硅基光电子工艺相兼容，在半导体材料的制备与加工领域，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105226374A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510554010.4
申请日：2015-09-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。本发明具有更高的功率耦合效率，增强电离率，提高等离子体密度，采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，避免寄生放电、微弧放电，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持，能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。
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公开(公告)号：CN104241061A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410507722.6
申请日：2014-09-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01J1/14
Abstract: 本发明涉及一种抑制二次电子发射的材料，包括石墨壁和碳纤维，所述碳纤维垂直均匀分布在所述石墨壁表面上。本发明电子轰击石墨壁产生二次电子，且二次电子从石墨壁表面以不同角度发射出来，经过碳纤维的多次发射与吸收，能够返回真空的数目所剩无几，这样二次电子的发射系数远小于1，接近于零，那么就起到抑制二次电子发射的作用，低二次电子发射明显增加了壁电势，降低了从等离子体到壁的电子热通量，抑制了壁加热、壁蒸发和等离子体冷却，不会改变壁的特性和等离子体性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208717166U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201820974822.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C23/00
Abstract: 本实用新型涉及一种宽幅等离子体处理玻璃的装置，包括高频高压交流等离子体电源、气体腔室、设于气体腔室外底端的高压电极和分别位于高压电极两侧的两个介质阻挡板，气体腔室上设置有至少一个进气孔和至少一个出气孔，高压电极与高频高压交流等离子体电源相连接，每个介质阻挡板的外侧端连接有第一电极，两个第一电极均与一电阻相连接，电阻与地电极相连接。本实用新型可在大气压下产生大面积等离子体辉光放电；可将第一电极之间的等离子体引出一定宽度，充分高效的进行材料表面处理，能应用于工业生产流水线，对于大气压下等离子体材料表面处理具有重要意义；可有效改善石英玻璃的水接触角，亲水性明显增加，对改变玻璃亲水性方面具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208539801U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201820974823.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种大气压高频高压交流等离子体电源装置，包括第一直流开关电源、第二直流开关电源、方波发生器、PCB电路板以及变压器，PCB电路板包括PCB电路板本体、设置述PCB电路板本体上的电源正极焊盘、电源负极焊盘、两个第一电容焊盘、两个第二电容焊盘、两个第三电容焊盘、两个第一电感焊盘、两个第二电感焊盘、两个输出端焊盘、若干连接线、三个第一插接孔和三个第二插接孔，PCB电路板本体的下方设置有散热器，第一直流开关电源的正极、负极分别与电源正极焊盘、电源负极焊盘电连接，两个输出端焊盘均与变压器的初级线圈电连接，第二直流开关电源与方波发生器电连接。本实用新型体积小，IGBT直插不用焊接，输出稳定的高频高压交流电。
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公开(公告)号：CN206042496U
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201621066369.3
申请日：2016-09-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本实用新型涉及一种发射探针，包括陶瓷管、一根第一钨丝、第二钨丝组、第三钨丝组和直流电源，第二钨丝组包括多根第二钨丝，第三钨丝组包括多根第三钨丝，陶瓷管沿轴向设置有第一通孔和第二通孔，第一钨丝弯曲后两端分别穿过所述第一通孔、第二通孔，第一钨丝的弯曲部伸出第一通孔或第二通孔的长度为3-8mm，多根第二钨丝插入第一通孔内，多根第三钨丝插入第二通孔内，第一钨丝的一端和多根第二钨丝均与直流电源的正极相连接，第一钨丝的另一端和多根第三钨丝均与直流电源的负极相连接。本实用新型结构简单可靠，提高了探针发射电子的效率，使得I-V特性曲线拐点更明显，第一磁芯和第二磁芯的设置减小了电磁干扰及谐波干扰，使得测量结果更加精确。
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公开(公告)号：CN205803587U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620802147.7
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°-50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本实用新型拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。
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公开(公告)号：CN206111283U
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201621070340.2
申请日：2016-09-22
Applicant: 苏州大学
IPC: F01N3/01
Abstract: 本实用新型涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的装置，包括高压直流电源、相对设置的两个绝缘板，其中一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气进口，另一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气出口，两个所述绝缘板之间设置有接地电极和多个导电管，所述接地电极与所述高压直流电源的接地端相连接，多个所述导电管均与所述高压直流电源的高压端相连接，多个所述导电管呈环状分布，每个所述导电管沿长度方向均设置有多个钢针。本实用新型可以获得放电密度分布均匀、体积较大的等离子体，获得较大的处理空间；能够快速将本装置安装到汽车排气管上，随时随地方便汽车尾气的处理；能够实现车载化；高效分解且处理能耗低，在汽车尾气处理方面具有极强的应用前景。
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