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公开(公告)号：CN112511110B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011370199.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度可编程增益放大器，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电阻R1、第二电阻R2、可变电阻VR1、第一误差放大器EA1、第二误差放大器EA2。本发明通过在传统可编程增益放大器的基础上引入第一误差放大器EA1、第二误差放大器EA2，能够适用于先进的纳米级CMOS工艺，具有较低的电源电压，且具有更优异的线性度性能，能够减轻前级驱动本级的负载负担。
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公开(公告)号：CN113778158A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110953699.3
申请日：2021-08-19
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；NMOS管N5的漏极电性连接到电压源VDD1，源极电性连接到电阻R2的一端并作为LDO电路的输出电源端VP；电阻R2的另一端接地。本发明不但能够实现过冲输出的快速恢复，而且由于过冲检测电路的简洁结构而具有占用芯片面积小的优点。
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公开(公告)号：CN112511110A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011370199.9
申请日：2021-01-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高线性度可编程增益放大器，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电阻R1、第二电阻R2、可变电阻VR1、第一误差放大器EA1、第二误差放大器EA2。本发明通过在传统可编程增益放大器的基础上引入第一误差放大器EA1、第二误差放大器EA2，能够适用于先进的纳米级CMOS工艺，具有较低的电源电压，且具有更优异的线性度性能，能够减轻前级驱动本级的负载负担。
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公开(公告)号：CN110798203A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911210887.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 苏州大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区，第六PMOS管P6的源极电压(即本发明的输出电压)就能够正常跟随栅极电压(即OTA的输出电压)的变化，进而就能够保证足够的环路增益；本发明的优点在于，能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益，保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104734664A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510156831.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种带有基于微机电技术的电调衰减器的压控振荡器，包括电调衰减器和压控振荡信号源，所述压控振荡信号源的输出端连接到电调衰减器，所述电调衰减器由微带线模块和PIN二极管组成，所述压控振荡信号源包括有源放大器件、谐振器件、调谐网络和偏置电路，所述微带线模块包括含有空气腔的衬底、设于衬底表面的一层介质薄膜、设于介质薄膜上的微带线及其输入、输出端口的焊盘和接地焊盘，所述PIN二极管设于微带线输入、输出端口的焊盘与接地焊盘之间。本发明能够实现压控振荡器的输出信号在基本不失真的情况下，输出功率能够连续衰减可调。
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公开(公告)号：CN111416585B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201911290065.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路，在宽电压范围内为跨导单元主体电路提供较为恒定的偏置电流，利用栅极电压的自适应调整和预留的较大电压回旋空间，其中偏置电压Vbias1选择较低值，使得电流源I1a刚刚能够饱和，这样，随着输入电压的升高，PMOS管M4a和PMOS管M5a进入线性区之后还能再拓展一些输入电压范围，直到PMOS管M7a也进入线性区，本发明的优点在于，可以获取更宽的电压输入范围，对于纳米级CMOS工艺来说是非常重要的特性，同时为跨导主体电路提供的偏置电流非常稳定，即其偏置电流对输入电压的依赖性非常小，有利于提高线性度。
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公开(公告)号：CN110794911A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911222324.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种缓冲近地电压的CMOS缓冲器，其包括运算跨导放大器OTA，以及由偏置恒定电流源IB1、偏置恒定电流源IB2、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3组成的超级源极跟随器。本发明的缓冲近地电压的CMOS缓冲器由于OTA和超级源极跟随器都在闭环回路中，克服了源极跟随器的栅源直流电压移位随PVT变化而变化的缺点，同时，即便输入电压非常靠近地电压，也能够维持较高的环路增益。充足的环路增益保证了缓冲器输出电压与输入电压之间的近似相等，而且具有一定的驱动能力，即精确的实现了对近地电压的缓冲。
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公开(公告)号：CN109947172A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910289713.7
申请日：2019-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种低压降高输出电阻镜像电流源电路，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一参考电流源Iin、电阻R、电压源VDD；输入电流经低压共源共栅电流镜镜像成两路电流，经第五PMOS管P5、第六PMOS管P6流入由第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4组成的另一组镜像电流源，本发明能够在很低的电流源输出压降下实现稳定的输出电流，便利了低电源电压的深亚微米CMOS工艺下的模拟电路设计，使得模拟集成电路也可以从工艺进步中受益，并且促进先进CMOS工艺下片上系统的实现。
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