公开(公告)号：CN113778158A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110953699.3

申请日：2021-08-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  潘成生 ,  邵子健 ,  乔东海

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；NMOS管N5的漏极电性连接到电压源VDD1，源极电性连接到电阻R2的一端并作为LDO电路的输出电源端VP；电阻R2的另一端接地。本发明不但能够实现过冲输出的快速恢复，而且由于过冲检测电路的简洁结构而具有占用芯片面积小的优点。

公开(公告)号：CN116232234A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211095646.3

申请日：2022-09-06

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  潘成生

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/56 ,  H03F3/45 ,  H03G3/30

Abstract: 本发明公开的一种基于负阻技术的高增益运放电路，包括辅助运算放大器A、多个P型MOS管与多个N型MOS管、电流源IB1与电流源IB2；多个P型MOS管分别记为PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3；多个N型MOS管分别记为NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4；所述电流源IB1的输入端与所述电流源IB2的输入端均连接电源电压，PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极连接后，并一同连接至电流源IB1输出端，所述PMOS管P1的漏极连接NMOS管N3的漏极。

公开(公告)号：CN216248988U

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202121952309.2

申请日：2021-08-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 白春风 ,  潘成生 ,  邵子健 ,  乔东海

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开了一种面积紧凑的自适应偏置NMOS型LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；NMOS管N5的漏极电性连接到电压源VDD1，源极电性连接到电阻R2的一端并作为LDO电路的输出电源端VP；电阻R2的另一端接地。本实用新型不但能够实现过冲输出的快速恢复，而且由于过冲检测电路的简洁结构而具有占用芯片面积小的优点。