公开(公告)号：CN107851552A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041816.6

申请日：2016-07-13

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 帕斯卡·昆纳德 ,  M·波卡特 ,  T·巴尔格

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明涉及一种用于制造衬底的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供具有第一热膨胀系数的支撑衬底(10)，该支撑衬底具有在其面中的一个面上的沿第一方向的平行的第一多个沟槽(12)和沿第二方向的平行的第二多个沟槽(13)；(b)从施主衬底(30)向支撑衬底(10)转移有用层(31)，该有用层(31)具有第二热膨胀系数；制造方法的特征在于：在支撑衬底(10)的正面(11)与该有用层(31)之间插入中间层，该中间层(20)具有在第一热膨胀系数到第二热膨胀系数之间的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN105679648A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201511034378.4

申请日：2015-11-12

Applicant: 索泰克公司

Inventor： M·波卡特

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及，将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤，所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。

公开(公告)号：CN104412360A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380034211.0

申请日：2013-06-05

Applicant: 索泰克公司

Inventor： I·拉杜 ,  M·波卡特 ,  阿诺德·卡斯泰 ,  格维塔兹·戈丹 ,  G·里奥

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674

Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：-将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；-向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。