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公开(公告)号：CN112381116A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011134658.3
申请日：2020-10-21
Abstract: 本发明涉及一种基于对比学习的自监督图像分类方法，包括以下步骤:步骤S1:获取无标签数据，并进行随机增强生成不同视图；步骤S2:对视图进行特征提取，无监督对比计算损失,得到无监督分类模型C1；步骤S3:对无标签数据中部分进行人工标注，作为训练验证集；步骤S4:将C1作为预训练模型，根据训练验证集进行微调；步骤S5:提取训练验证集的特征，有监督对比计算损失,得到C2；步骤S6:根据C2对无标签数据预测标签，并筛选置信度高于预设值的数据作为训练样本；步骤S7:基于训练样本，将C2作为预训练模型，选取小网络进行训练微调，将验证输出准确率最高的作为最佳分类模型C3。本发明能够有效利用无标签数据训练泛化的图像分类模型，解决多类图像分类问题。
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公开(公告)号：CN111834505A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管器件，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834421A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/50 , H01L51/50 , H01L51/56 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN112396061B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202011342948.7
申请日：2020-11-25
Abstract: 本发明涉及一种基于目标灰度倾向加权的Otsu目标检测法，包括以下步骤：步骤S1:对待测图像进行灰度化处理，获得待测图像的灰度直方图；步骤S2:根据得到的待测图像的灰度直方图，确定期望阈值；步骤S3:根据期望阈值，计算前景和背景像素点出现概率及其灰度均值；步骤S4:根据期望阈值选择要更改的灰度倾向系数，若期望阈值更接近高灰度区域就选择高倾向度系数α，反之若更接近低灰度区域就选择低倾向度系数β；步骤S5:采用改进的Otsu类间方差公式进行梯度谷值加权，获得使方差最大的阈值，实现目标与背景的分离。本发明当目标与背景的对比度很低时，能够更准确地剥离目标与背景图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112817213B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN113436806B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110519898.3
申请日：2021-05-13
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
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公开(公告)号：CN112381116B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011134658.3
申请日：2020-10-21
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于对比学习的自监督图像分类方法，包括以下步骤:步骤S1:获取无标签数据，并进行随机增强生成不同视图；步骤S2:对视图进行特征提取，无监督对比计算损失,得到无监督分类模型C1；步骤S3:对无标签数据中部分进行人工标注，作为训练验证集；步骤S4:将C1作为预训练模型，根据训练验证集进行微调；步骤S5:提取训练验证集的特征，有监督对比计算损失,得到C2；步骤S6:根据C2对无标签数据预测标签，并筛选置信度高于预设值的数据作为训练样本；步骤S7:基于训练样本，将C2作为预训练模型，选取小网络进行训练微调，将验证输出准确率最高的作为最佳分类模型C3。本发明能够有效利用无标签数据训练泛化的图像分类模型，解决多类图像分类问题。
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公开(公告)号：CN113299227A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN112904622A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110108678.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示三畴配向层的光配向方法。该方法包括：将待配向基板装载在装载平台上；其中，待配向基板包括三组不同配向角的配向区，待配向基板的每个显示像素包括三个不同配向角的配向区；调整掩膜版，以使掩膜版的透光区在待配向基板的投影位于同一个显示像素中间的配向区；维持掩膜版与待配向基板相对位置不变，打开光源模组并产生入射方向不同的三组三畴配向光源，使三组三畴配向光源在同一时间透过掩膜版的透光区投射到不同组别的配向区。本发明不仅解决了三畴光配向过程中对位问题，保证了配向的精准度，也可以提高配向效率。
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