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公开(公告)号：CN103921500B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410182300.6
申请日：2014-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种薄膜应变计及其制备方法，包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY过渡层，Al2O3联接层的制备，设置Al2O3陶瓷绝缘层，设置薄膜应变计功能层和热氧化Al2O3保护层，最后设置Al2O3陶瓷保护层。本发明采用NiCrAlY合金为功能层，由于NiCrAlY合金薄膜表面经过析铝、氧化形成的Al2O3保护层更致密、稳定，对应变计功能层有更好的防护作用；而且功能层和过渡层均采用相同的NiCrAlY合金材料和处理工艺，具有相同的热膨胀系数，不会产生温度应力，在高温工作环境下不容易脱落，延长了薄膜应变计的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104149416A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410418821.7
申请日：2014-08-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金属基高温绝缘层及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括六层结构，从下往上依次是合金基片1、NiCrAlY合金过渡层2、α-Al2O3层3、晶态YSZ层4、非晶态YSZ层5、Al2O3层6，其中α-Al2O3层采用热氧化法得到，晶态YSZ层和非晶态YSZ层均采用溅射方法得到，Al2O3层6采用电子束蒸发法制备得到。本发明的绝缘层能保证至少在800℃下，薄膜传感器功能层与金属基底之间的良好电绝缘，且经过长时间高温环境下退火后，绝缘电阻不会减小，且有增大的趋势，可以满足薄膜传感器在高温、高应力等环境下的正常工作。
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公开(公告)号：CN103409723A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310269857.9
申请日：2013-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 薄膜沉积制备方法以及纳米纤维结构柔性缓冲层制备方法，属于材料技术领域，本发明包括升温步骤、沉积步骤，其特征在于，沉积步骤中，沉积源的法线与基片表面法线的夹角为30°～80°。本发明的有益效果是，提供了一种性能良好的热应力释放机制，采用本发明制备的纳米纤维结构Al2O3柔性缓冲层薄膜具有良好的柔性和绝缘性，氧扩散系数小。
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公开(公告)号：CN103407226A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310313687.X
申请日：2013-07-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 金属结构件表面陶瓷薄膜制备方法，涉及材料技术领域。本发明包括下述步骤：1）在金属结构件表面沉积一层合金薄膜，所述合金薄膜的热膨胀系数与金属结构件材料的热膨胀系数之差不大于金属结构件材料的热膨胀系数的20%；2）对沉积的合金薄膜进行高温热氧化处理，使其表面生成一层致密的氧化物薄层；3）在氧化物薄层上沉积陶瓷薄膜。本发明很好地解决了金属/陶瓷界面的附着力问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101478065A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810147691.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法，属于材料技术领域，涉及钛酸锶钡薄膜介电损耗与漏电流的双层介质薄膜材料。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料包括衬底、下电极、上电极和BST薄膜，其中下电极与上电极之间还具有SiN缓冲层。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料的制备方法包括SiN缓冲层的制备步骤。本发明在常规MIM结构的BST薄膜材料中增加了SiN缓冲层，能够显著降低薄膜的介电损耗，并且通过调节SiN层的厚度能够调节薄膜介电损耗；通过设计合适的BST厚度与SiN厚度的比值，能够得到介电可调率适中、介电损耗很低的介质薄膜；SiN缓冲层的引入还能显著降低BST薄膜的漏电流。本发明可以满足微波可调器件与微电子材料对BST薄膜性能的要求。
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公开(公告)号：CN101439970A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810306306.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种用于微波调谐元器件的铋基介质材料。本发明通过对铋基焦绿石结构铌酸铋锌材料的介电调谐机理的研究，并基于对铋基焦绿石结构类材料介电调谐机理的深入认识，提出增强铋基焦绿石结构类材料介电调谐特性的设想和实施方案，并据此公开了一种用于微波调谐的介质材料及其制备方法。本发明的用于微波调谐的铋基介质材料，化学组成为Bi1.5MNb1.5O7；其中，M为2价金属阳离子，所述M离子半径小于Zn离子半径；具体的，所述M离子为Mg离子，所述介质材料化学式为Bi1.5MgNb1.5O7。本发明还公开了用于微波调谐的铋基介质材料的制备方法。本发明的介质材料是用于压控微波频率元器件的优异介质材料。
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公开(公告)号：CN119354023A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411566567.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高温薄膜传感器技术领域，提供一种基于薄膜应变计的高温动应变测量方法，用以解决传统接触式应变计存在的装配困难、破坏部件表面结构、准确度较差等问题。本发明首先在试件表面设置薄膜应变计与温度传感器，在试件振动过程中同步采集得到时域电阻信号与温度信息；然后，采用频谱分析将时域电阻信号转换为频域电阻信号，将零频处电阻幅值作为薄膜应变计的初始电阻，将试件谐振频率处电阻幅值作为薄膜应变计的电阻响应量；最后，根据温度信息确定薄膜应变计的应变因子，并基于薄膜应变计的初始电阻、电阻响应量与应变因子计算得到试件的动应变量。基于此，本发明显著减少应变测量误差，提高动应变测量的准确性。
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公开(公告)号：CN116634857A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310690364.6
申请日：2023-06-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，提供一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法，用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到钛酸锶钡薄膜，实现薄膜与衬底之间的外延生长关系，得到外延钛酸锶钡薄膜材料；所述外延钛酸锶钡薄膜材料具有(001)外延结构，比多晶结构的钛酸锶钡薄膜具有更大的介电常数；并且，外延钛酸锶钡薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点；同时，外延钛酸锶钡薄膜材料在高频下具有低损耗特性；另外，本发明中外延钛酸锶钡薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺，能够实现钛酸锶钡薄膜的大面积和大批量制备，具有工业应用优势。
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公开(公告)号：CN107142477B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710292784.3
申请日：2017-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜传感器技术领域，提供一种抗热冲击的高温复合绝缘层及其制备方法；该复合绝缘层包括两层结构，自下而上依次为Al2O3～Al‑O‑N梯度层及微晶Al2O3薄膜绝缘层；所述Al2O3～Al‑O‑N梯度层的底层为Al2O3层，顶层为非晶Al‑O‑N薄膜层，且沿薄膜生长方向、N元素含量递增。本发明复合薄膜绝缘层对异型精密构件平面、弯曲、翻折等不同部位均能形成均匀致密的覆盖，有效提高绝缘层的均匀性及高温绝缘性能，有效保证薄膜传感器在高温条件下的可靠性和稳定性；同时，采用溶液法制备，溶胶凝胶法能够轻松完成对较大工件的涂覆，利于实现批量的制备生产；并且溶胶凝胶法成本低廉，操作简易，这些因素使得本发明提供复合绝缘层具有更为广阔的应用前景。
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