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公开(公告)号：CN117135097A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310850747.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路测试领域，涉及一种测试工具，具体提供一种基于Wifi Soc的多芯片协助测试工具。使用更加廉价的Wifi Soc代替了FPGA作为测试工具的开发方案，而且具有通过个人电脑配置测试工具和待测芯片的效果，可以了灵活的拓展测试工具。具有低开发难度，灵活性高，易于使用，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN114024514B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202111240055.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构，用以解决现有高频工作下(尤其是毫米波、太赫兹波段)放大器功率增益不足的问题。本发明包括带串联型有损嵌入式网络的共源放大器与Y/Z型LLREN，带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由放大器、电阻Rs与90°传输线构成；在传统放大器构成的二端口网络下，通过引入一个串联型有损嵌入式网络有效的提高放大器的单向功率增益U，同时，结合过中和化技术，加入Y/Z型LLREN，显著提高放大器的最大可用增益Gma，使得最终放大器结构的功率增益得到显著提高。
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公开(公告)号：CN116131772A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310036410.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN115544825A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211069748.8
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种机载阵列天线变形重构的方法及系统，该系统包括：应变‑图像数据集生成子系统，其功能在于生成载荷数据集，通过有限元算法，将载荷数据转化成应变‑位移数据和位移场云图数据集；图像数据编码子系统，其功能在于构建第一层神经网络，将输入变量降维处理，得到应变到中间变量的映射关系；数据集预测模型子系统，其功能在于预测第二级神经网络需要的数据集数量，并在此基础上构建第二层神经网络；变形重构精度验证子系统，其功能在于，基于精度需求通过近似贝叶斯算法验证精度的可接受性，并确定二层神经网络停止迭代训练的条件。
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公开(公告)号：CN115498969A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211259704.1
申请日：2022-10-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种带Z型与PreY型LLREN的增益提升放大器，包括：晶体管M1、Z型LLREN、以及输入PreY型LLREN和/或输出PreY型LLREN，输入PreY型LLREN连接于晶体管M1的输入端与共地端之间，输出PreY型LLREN连接于晶体管M1的输出端与共地端之间，Z型LLREN连接于晶体管M1的共地端到地之间。本发明通过基于Z型LLREN与PreY型LLREN的增益提升结构设计，避免了Y型LLREN所带来的诸多问题，即本发明在不用到Y型LLREN的前提下，有效地将最大可用增益Gma提升到对应的上限值Gma_upper_limit，即有效地提高放大器的功率增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114513166A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210030467.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路领域，具体提供一种采用开关电容耦合调节的宽带Class‑F压控振荡器，用以解决现有Class‑F型压控振荡器无法在保证相位噪声性能的前提下实现宽带调节的问题。本发明采用两个传统Class‑F型压控振荡器作为单元结构，引入两个模式切换开关SW1和SW2、耦合电容Cpp1与Cpp2以及Css1与Css2，通过模式切换开关SW控制本发明压控振荡器的工作模式：当控制信号EN＝0时、压控振荡器处于奇模式、耦合电容Cpp1与Cpp2以及Css1与Css2同时接入电路、使其工作在较低的频率，当控制信号EN＝1时、压控振荡器处于偶模式、耦合电容Cpp1与Cpp2以及Css1与Css2同时断开电路、使其工作在较高的频率，进而实现宽带调节；同时，能够保证压控振荡器的相位噪声性能。
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公开(公告)号：CN114488760A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210076624.6
申请日：2022-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于双多路门控环形振荡器的再量化时间数字转换器，属于数模混合电路领域。所述时间数字转换器包括脉冲产生电路、第一门控环形振荡器、第二门控环形振荡器、再量化电路和数据修正电路，其中，再量化电路由译码器、第一多路复用器、第二多路复用器、第三多路复用器、比较器、共模检测电路组成，数据修正电路由一阶差分电路、延时电路、加法器组成。本发明通过将两个存在失配的基于多路门控环形振荡器的时间数字转换器输出进行相加，然后对两者量化误差之和再次量化后进行消除，从而使其等价于一个最小可分辨时间为原来一半的时间数字转换器。
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公开(公告)号：CN114024514A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111240055.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，涉及无线通讯系统中的放大器，具体提供一种带串联型有损嵌入式网络的过中和化放大器结构，用以解决现有高频工作下(尤其是毫米波、太赫兹波段)放大器功率增益不足的问题。本发明包括带串联型有损嵌入式网络的共源放大器与Y/Z型LLREN，带串联型有损嵌入式网络的共源放大器由放大器、电阻Rs与90°传输线构成；在传统放大器构成的二端口网络下，通过引入一个串联型有损嵌入式网络有效的提高放大器的单向功率增益U，同时，结合过中和化技术，加入Y/Z型LLREN，显著提高放大器的最大可用增益Gma，使得最终放大器结构的功率增益得到显著提高。
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公开(公告)号：CN109257043B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811250057.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03L7/18
Abstract: 本发明属于数字电路领域，具体提供一种应用于锁相环频率综合器的高速宽带除法链，用以克服现有除法链中由于2/3分频器的结构决定了其工作速度上限不会很高的问题。本发明通过对第一级2/3分频器(RLEHS 2/3分频器)与后级2/3分频器(RLEHS 2/3分频器)的创新性设计，使第一级2/3分频器与与后级2/3分频器的结构得到简化、工作速度得到提升，同时，第一级2/3分频器中的3输入与门与2输入与门均采用有比逻辑设计，进一步提高了所述第一级2/3分频器的工作速度；从而大大提高除法链工作速度上限，满足基于毫米波的5G通信芯片的时钟频率要求。
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公开(公告)号：CN111176361A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010020222.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源，用以解决现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源温度范围窄、尤其是低温时严重受限的问题。本发明包括：亚阈值电流源、PTAT产生电路、CTAT产生电路、反馈电路与电源抑制比增强模块，其中，构成PTAT产生电路的PMOS管的衬底连接于其漏极，大大降低了其产生的衬底电流，使得低温下的基尔霍夫电流定律仍能得到PTAT电压解，从而大幅度扩展了基准电压源的工作温度范围；同时，采用由二极管D1构成的CTAT产生电路，保证低温下CTAT电压不失真，进一步保证了本发明基准电压源的低温适应性；并采用由电容Cc构成的电源抑制比增强模块有效提升电压源的电源抑制比。
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