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公开(公告)号：CN116131772B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202310036410.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN116131772A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310036410.0
申请日：2023-01-09
Applicant: 电子科技大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能。在10 GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300 krad的辐照环境下均有明显的改善。
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公开(公告)号：CN114142815A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111322721.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种基于功率检测的抗辐照电路。本发明抗辐照电路由放大器、功率检测模块、控制电路、偏置电路依次首尾相接构成反馈环路；控制电路还与存储器连接；在辐照作用下根据功率检测模块检测放大器的输出信号，通过控制电路存储在存储器中的查找表读取当前实际功率下对应的最佳工作状态的偏置信号，并根据最佳偏置控制信号控制偏置电路，通过偏置电路调整放大器的偏置电压或电流，将电路性能调回最佳状态，通过一个反馈环路，减小辐照总剂量效用的影响，实现总剂量效应的电路级辐照加固。本发明能够实现集成化、便携化，可实时地对放大器工作状态进行调整，增强电路抗辐照特性。
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公开(公告)号：CN114141857A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111322720.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种硅边墙SOI抗辐照MOS器件结构。本发明结构，包括MOS器件的栅端、源端、漏端、体区、衬底和硅边墙；通过改变原本SOI器件边墙绝缘体隔离层为硅边墙，采用与体区同种掺杂的硅侧边墙，可有效降低辐照总剂量效应下侧边墙寄生晶体管产生的泄露电流；同时将体区有效引出与源端相连，可有效解决常规SOI的MOS器件浮体效应产生的衬底寄生晶体管在辐照总剂量效应下产生的背沟道泄露电流问题。本发明在兼容主流SOI工艺情况下，解决了边墙寄生晶体管和衬底寄生晶体管引起的泄露电流问题；此外与现有传统抗辐照器件相比，宽长比设计不受限制，并具有较小面积、高集成度等特性。
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公开(公告)号：CN114094954A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111322728.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/42
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高平坦度级间匹配电路。本发明级间匹配电路包括变压器、输出等效并联RC电路、输入等效串联RC电路；其中，前一级输出端等效为并联RC结构，初级回路为并联谐振网络，后一级输入端等效为串联RC结构，次级回路为串联谐振网络；通过宽带的无源级间匹配电路，补偿晶体管本身具有的幅频响应曲线增益随频率下降的趋势，从而实现整个电路模块宽带的幅频响应曲线。本发明通过非对称的匹配电路设计，弥补晶体管本身不平坦的幅频响应曲线，实现高平坦度的电路设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114094944A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111322726.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 复旦大学 , 中国航天科工集团八五一一研究所
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明属于抗辐照技术领域，具体为一种基于恒定跨导偏置电路的放大器辐照加固方法。本发明是对放大器配置一恒定跨导偏置电路；放大器用于实现射频及毫米波的小信号放大，适用于窄带及宽带情形；恒定跨导偏置电路在放大器的工作过程中检测放大器中晶体管的工作状态，自适应地使放大器中晶体管跨导保持恒定，让放大器在辐照产生总剂量效应的作用下始终能保持正常的小信号工作状态，实现辐照加固。本发明特别设计了针对射频/毫米波接收机上的窄带LNA情形的恒定跨导偏置电路。本发明通过引入恒定跨导偏置电路使放大器跨导恒定，降低辐照总剂量效应对放大器噪声、增益等小信号性能的影响，实现放大器的辐照加固。
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公开(公告)号：CN116248008A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310133833.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种双三相电机驱动系统统一零序信号注入PWM的方法，先通过六相参考电压建立统一零序注入信号的数学模型，再利用待定系数法确定两套三相逆变器的统一零序注入信号，并结合六相参考电压生成调制波信号，最后，基于载波比较PWM原理，通过调制波信号生成用于控制六相逆变器开关管动作的开关信号。
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公开(公告)号：CN115133845A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210890060.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制三电平五相交流电机共模噪声的系统及方法，将五相交流电机在旋转坐标系下的电压经过坐标变换变换至静止坐标系的参考电压，再将五相参考电压分别与锯齿状三角载波进行幅值比较生成初始对称脉宽调制信号，将初始对称脉宽调制信号按中间对齐和两侧对齐方式排布，从而产生出对称脉宽调制信号，参考三电平五相转子位置角度划定扇区，分别对两种方式排布的初始脉宽调制信号进行移相操作，以使五个桥臂的脉宽信号首尾相接，生成非对称的零共模脉宽调制信号，并通过信号重构后生成驱动三电平逆变系统的开关信号，用于控制多个桥臂的逆变器进行开关动作，达到共模噪声抑制。
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公开(公告)号：CN115133845B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210890060.X
申请日：2022-07-27
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制三电平五相交流电机共模噪声的系统及方法，将五相交流电机在旋转坐标系下的电压经过坐标变换变换至静止坐标系的参考电压，再将五相参考电压分别与锯齿状三角载波进行幅值比较生成初始对称脉宽调制信号，将初始对称脉宽调制信号按中间对齐和两侧对齐方式排布，从而产生出对称脉宽调制信号，参考三电平五相转子位置角度划定扇区，分别对两种方式排布的初始脉宽调制信号进行移相操作，以使五个桥臂的脉宽信号首尾相接，生成非对称的零共模脉宽调制信号，并通过信号重构后生成驱动三电平逆变系统的开关信号，用于控制多个桥臂的逆变器进行开关动作，达到共模噪声抑制。
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公开(公告)号：CN107466178B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710692000.6
申请日：2017-08-14
Applicant: 广东联结电子商务有限公司 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种大数据服务器机柜钻孔装置，包括座体以及设置在座体顶部的储装箱，储装箱内设有储装腔，储装腔底部互通设有向下伸延并探到座体的倒锥腔，储装腔右侧的储装箱内设有传导腔，传导腔内设有第一锥转轮，第一锥转轮左端固定设置有向左侧伸延设置的拌搅轴，拌搅轴左侧伸延段通穿传导腔与储装腔之间的储装箱且转接，拌搅轴左侧伸延末梢探到储装腔内且与储装腔左侧内壁转接，倒锥腔底部互通设有向左右两侧伸延设置的第一滑接槽，第一滑接槽下方的座体内设有滑接腔，滑接腔左侧的座体内设有上下伸延设置的导接管；本发明结构简单，操作方便。
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